Chemische Gasphasenabscheidung dünner Silberschichten aus metallorganischen Precursoren

• Antragsteller: Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte
• Fachliche Zuordnung: Chemische und Thermische Verfahrenstechnik
• Förderung: Förderung von 2001 bis 2004
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5313459

Für Anwendungen in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik soll ein CVD-Gesamtprozess zur Abscheidung großflächiger, homogener Silberschichten auf Siliciumsubstraten entwickelt werden. Hierzu sollen neue, potentiell geeignete Precursoren synthetisiert und im Abscheidungsprozess getestet werden. Untersuchungen zum Wachstumsmechanismus sollen Hinweise bezüglich der Konzeption und Optimierung des Prozesses liefern, die sowohl in die Synthese geeigneter Vorläuferverbindungen als auch in die Gestaltung des Depositionsprozesses einfließen. Der Schichtabscheideprozeß wird für aussichtsreiche Precursorsysteme entwickelt, und die erzeugten Schichten werden hinsichtlich ihrer chemischen Zusammensetzung und Homogenität analysiert sowie bezüglich ihrer Mikrostruktur, ihrer mechanischen und elektrischen Eigenschaften untersucht.

• DFG-Verfahren: Schwerpunktprogramme
• Teilprojekt zu: SPP 1119: Anorganische Materialien durch Gasphasensynthese: Interdisziplinäre Ansätze zu Entwicklung, Verständnis und Kontrolle von CVD-Verfahren