SFB 917:
Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur,
Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches"
Fachliche Zuordnung
Informatik, System- und Elektrotechnik
Chemie
Materialwissenschaft und Werkstofftechnik
Physik
Förderung
Förderung von 2011 bis 2023
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 167917811
Der Bedarf Daten zu speichern und zu verarbeiten nimmt weiterhin exponentiell zu. Da diese zunehmende Belastung nicht mehr durch weitere Bauelementminiaturisierung aufgefangen werden kann, sind Veränderungen in der Computerarchitektur und -hardware dringend erforderlich. Ziel des SFB 917 ist es, mit Hilfe von Nanoschaltern neuartige Datenspeicher und neue Rechenparadigmen zu realisieren. In der zweiten Berichtsperiode des SFB 917 wurden erhebliche Fortschritte erzielt. Insbesondere haben wir ein tiefes Verständnis für die nanoskaligen Redox-Prozesse von VCM-Bauelementen gewonnen und konnten die Schaltkinetik über 14 Größenordnungen beschreiben. Diese Erkenntnisse haben uns geholfen, VCM-Materialien in weniger als 350 ps zu schalten, während ein herausragendes PC-Material durch DFT-Berechnungen identifiziert werden konnte, das mit reduzierter Leistung in weniger als 1 ns schaltet. Schließlich haben wir einen neuartigen Bindungsmechanismus in kristallinen Phasenwechselmaterialien identifiziert, der sich deutlich von den drei in Lehrbüchern diskutierten Bindungsmechanismen (ionisch, metallisch und kovalent) unterscheidet. Diese Erkenntnisse haben zu einer neuartigen Karte geführt, die alle vier wichtigen Bindungsmechanismen enthält. Dies bedeutet, dass resistive Schalter mit gewünsch-ten Eigenschaften mit dieser Karte maßgeschneidert werden können. In der dritten Förderperiode können wir daher rationelles Materialdesign einsetzen, um das mikroskopische Verständnis von resistiven Schaltphänomenen zu verbessern. Wir beabsichtigen, solche Schatzkarten einzusetzen, um die Grenzen des Anwendungspotenzials von VCMs und PCMs zu erkunden. Von besonderer Bedeutung sind die Grenzen in Bezug auf Schaltgeschwindigkeit, Skalierbarkeit und Zuverlässigkeit, da diese das Anwendungsspektrum definieren, das für diese Materialklasse realisierbar ist. Daher planen wir, verschiedene Konzepte zur Herstellung von nanometergroßen Schaltern einzusetzen und deren Schaltgeschwindigkeit und Zuverlässigkeit mit der Plattform von Analyse- und Charakterisierungsmethoden zu untersuchen, die wir in den ersten beiden Förderperioden entwickelt haben. Wir wer-den die Physik neuer, vielversprechender VCM-Varianten untersuchen und die mikroskopischen Mechanismen untersuchen, die die Zuverlässigkeit entsprechender Zellen einschränken. Sowohl für VCM als auch für PCM planen wir, die Skalierbarkeitsgrenzen auf der Grundlage der ausgearbeiteten Schatzkarten zu untersuchen.
DFG-Verfahren
Sonderforschungsbereiche
Laufende Projekte
Abgeschlossene Projekte
-
A01 - Von Struktur- Eigenschaftsbeziehungen zu maßgeschneiderten Chalkogenidmaterialien
(Teilprojektleiter
Dronskowski, Richard
;
Wuttig, Matthias
)
-
A02 - Korrelation zwischen atomarer Struktur und elektronischen Zuständen in resistiv schaltenden Oxiden
(Teilprojektleiterinnen / Teilprojektleiter
Dittmann, Regina
;
Waser, Rainer
)
-
A03 - Rastertunnelmikroskopie und winkelaufgelöste Photoelektronenspektroskopie von Phasenwechselmateria-lien
(Teilprojektleiter
Liebmann, Marcus
;
Morgenstern, Markus
)
-
A04 - Lokale Beschränkung von schaltenden Filamenten in Übergangsmetalloxiden unter elektrischen, chemi-schen, mechanischen und thermischen Gradienten
(Teilprojektleiter
Bihlmayer, Gustav
;
Szot, Krzysztof
)
-
A05 - Hochtemperatur- und Hochdruckeigenschaften von Chalkogeniden und niedervalenten Übergangsmetalloxiden
(Teilprojektleiterinnen / Teilprojektleiter
Dronskowski, Richard
;
Friese, Karen
)
-
A06 - Resistives Schalten von amorphen, nichtstöchiometrischen Oxidfilmen
(Teilprojektleiter
Martin, Manfred
)
-
B01 - Schnelle transiente, elektrische Analyse von resistiven Schaltphänomenen
(Teilprojektleiter
Böttger, Ulrich
;
Menzel, Stephan
;
Salinga, Martin
)
-
B02 - Elektrocoloration: Sichtbarmachung des Elektroformierungsprozesses
(Teilprojektleiter
Roth, Georg
;
Waser, Rainer
)
-
B03 - Grundlagen der Ionentransportprozesse in resistiv schaltenden Oxiden
(Teilprojektleiterinnen / Teilprojektleiter
De Souza, Ph.D., Roger
;
Hoffmann-Eifert, Susanne
)
-
B04 - Untersuchung der Auswirkungen von Bindungsmechanismen auf die Schaltkinetik
(Teilprojektleiter
Mazzarello, Riccardo
;
Wuttig, Matthias
)
-
B05 - Untersuchung des Einflusses von Defekten auf die Ladungsträgereigenschaften beim resistiven Schalten mit Nahfeld-Mikroskopie und -Spektroskopie
(Teilprojektleiter
Taubner, Thomas
)
-
B06 - Elektronische Struktur und Phasenbildung in Materialien für resistive Speicher
(Teilprojektleiter
Schneider, Claus Michael
)
-
B07 - Kontinuumsmodellierung der Phasenbildung
(Teilprojektleiter
Apel, Markus
;
Brener, Efim
)
-
B08 - Theorie und Modellierung des valenzwechselbasierenden resistiven Schaltens
(Teilprojektleiterinnen / Teilprojektleiter
Blügel, Stefan
;
Jungemann, Christoph
;
Lezaic, Marjana
)
-
B09 - In-situ-Transmissionselektronenmikroskopie von resistiv schaltenden Bauelementen
(Teilprojektleiter
Dunin-Borkowski, Rafal E.
)
-
B10 - Mechanismen des resistiven Schaltens in oxidischen Mott Isolatoren
(Teilprojektleiter
Wouters, Dirk
)
-
C01 - Größeneffekte auf die Phasenstabilität und die Schalteigenschaften von chemisch synthetisierten HfO2- und Sb-basierten Chalkogenid-Nanopartikeln
(Teilprojektleiter
Simon, Ulrich
)
-
C02 - Defekt-Engineering und Skalierung von resistiv schaltenden oxidischen Dünnschichten
(Teilprojektleiterin
Dittmann, Regina
)
-
C03 - Selbstorganisierte Nanodrähte aus Phasenwechselmaterialien
(Teilprojektleiterin
Hardtdegen, Hilde
)
-
C04 - Auswirkungen der nanoskaligen Einschränkung auf die Eigenschaften von Phasenwechselmaterialien
(Teilprojektleiter
Salinga, Martin
)
-
C06 - Wachstum, Struktur und Schalten von Phasenwechselmaterialien in reduzierten Dimensionen
(Teilprojektleiterinnen / Teilprojektleiter
Cojocaru-Mirédin, Ph.D., Oana
;
Wuttig, Matthias
)
-
C07 - Bildgebung und Manipulation von Übergangsmetalloxiden atomarer Skala
(Teilprojektleiterin
Karthäuser, Silvia
)
-
C08 - Untersuchung lokalisierter Defekte in Phasenwechselmaterialien und oxiden mit Atomsonden-Tomographie und korrelativer Mikroskopie
(Teilprojektleiterin
Cojocaru-Mirédin, Ph.D., Oana
)
-
MGK - Modul integriertes Graduiertenkolleg
(Teilprojektleiterinnen / Teilprojektleiter
Cojocaru-Mirédin, Ph.D., Oana
;
Mayer, Joachim
)
-
T01 - Fehlermechanismus und Zuverlässigkeit von Valenzwechselspeichern
(Teilprojektleiter
Waser, Rainer
)
-
Z01 - Integration und Nanostrukturierung
(Teilprojektleiterinnen / Teilprojektleiter
Grützmacher, Detlev
;
Juschkin, Larissa
)
-
Z02 - Charakterisierung der atomistischen und elektronischen Struktur mit ultrahochauflösender TEM
(Teilprojektleiter
Mayer, Joachim
)
-
Z03 - Zentrales Verwaltungsprojekt
(Teilprojektleiter
Wuttig, Matthias
)
-
Z04 - Technologieplattform für nanoskalige ReRAM- und PCM-Bauelemente
(Teilprojektleiter
Wouters, Dirk
)
-
Ö - NanoScienceOpen: Erschließung der Grundlagen von Nanoschaltern und der Natur der Naturwissenschaften für SchülerInnen und die breite Öffentlichkeit
(Teilprojektleiterinnen / Teilprojektleiter
Detemple, Ralf
;
Heinke, Heidrun
)