Resistives Schalten von amorphen, nichtstöchiometrischen Oxidfilmen (A06)

• Fachliche Zuordnung: Festkörper- und Oberflächenchemie, Materialsynthese
• Förderung: Förderung von 2011 bis 2019
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 167917811

Ziel dieses Projektes ist das grundlegende Verständnis des resistiven Schaltens im Volumen von amorphen, nichtstöchiometrischen Oxidfilmen. Dazu soll eine Kombination experimenteller und theoretischer Untersu-chungen erfolgen, um die unterschiedlichen Aspekte der Schaltmechanismen im Volumen aufzuklären und mit der Schaltkinetik beim filamentären Schalten zu vergleichen. Weiterhin sollen die in der ersten Periode für amorphes Galliumoxid erzielten Ergebnisse auf eine breitere Klasse von Oxiden verallgemeinert werden.

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche
• Teilprojekt zu: SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches"
• Antragstellende Institution: Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen
• Teilprojektleiter: Professor Dr. Manfred Martin