Fehlermechanismus und Zuverlässigkeit von Valenzwechselspeichern (T01*)

• Fachliche Zuordnung: Herstellung und Eigenschaften von Funktionsmaterialien
• Förderung: Förderung von 2019 bis 2023
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 167917811

Im Projekt wird die statistische Charakterisierung von VCM-Zellen unter Anwendungsbedin-gungen durchgeführt, um die relevanten Fehlerphänomene zu identifizieren. Simulationsstudien mit den in der letzten Zeit entwickelten KMC-, Kompakt- und Kontinuumsmodellen ergänzen die experimentellen Arbeiten. Ziel ist es, die physikalische Ursache des Bauelementfehlers durch den Vergleich der Simulati-onsergebnisse mit den experimentellen Daten aufzuklären. Schließlich werden Strategien zur Minimie-rung der Ausfallraten entwickelt. Diese Arbeit wird in Zusammenarbeit mit der Infineon Technologies AG als Industriepartner durchgeführt.

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche (Transferprojekt)
• Teilprojekt zu: SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches"
• Antragstellende Institution: Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen
• Teilprojektleiter: Professor Dr.-Ing. Rainer Waser