Untersuchung des Einflusses von Defekten auf die Ladungsträgereigenschaften beim resistiven Schalten mit Nahfeld-Mikroskopie und -Spektroskopie (B05)

• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2011 bis 2023
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 167917811

Projekt B5 zielt auf die nanoskalige Abbildung der Leitungseigenschaften in elektrischen Bauelementen und Materialien beider Typen (PCM und VCM) ab, um die grundlegenden Ausfallmechanismen zu verstehen, die Zuverlässigkeit und Skalierbarkeit der Bauelemente einschränken. Insbesondere verwenden wir das bildgebende Verfahren der infrarot streuenden optischen Nahfeldmikroskopie (s-SNOM), um quantitative Informationen über die lokale Ladungsträgerdichte in der Nähe von Defekten oder geschalteten Bereichen mit nanoskaliger Auflösung zu erhalten. Neben der In-situ-Bildgebung von Filamenten und Versetzungen in elektronischen Bauelementen werden wir auch grundlegende Material- und Wachstums-fragen zu chemisch synthetisierten Nanopartikeln behandeln.

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche
• Teilprojekt zu: SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches"
• Antragstellende Institution: Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen
• Teilprojektleiter: Professor Dr. Thomas Taubner