SPP 1038:  Halbleiterbauelemente hoher Leistung

• Subject Area: Computer Science, Systems and Electrical Engineering
• Term: from 1997 to 2002
• Project identifier: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 5468160

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• DFG Programme: Priority Programmes

Projects

• Ansteuerung und Charakterisierung von Halbleiterschaltern hoher Leistung unter Grenzbelastungen (Applicant Heumann, Klemens )
• Elektrothermomechanische Modellierung und numerische Simulation von Halbleiter-Hochleistungsbauelementen im Gehäuse und in Modulaufbauten (Applicant Wachutka, Gerhard K.M. )
• Elektrothermomechanische Modellierung und numerische Simulation von Halbleiter-Hochleistungsbauelementen im Gehäuse und in Modulaufbauten (Applicant Hoppe, Ronald H.W. )
• Entwicklung eines abschaltbaren Hochleistungshalbleiterbauelementes mit BIMOS Struktur mittels Silizium-Silizium-Bonding-Technologie (Applicant De Doncker, Rik W. )
• Entwicklung, Implementierung und Verifizierung von Rekombinationsmodellen für Silizium-Halbleiterbauelemente mittlerer und hoher Leistung (Applicant Schipanski, Dagmar )
• Entwicklung von innovativen Kontaktierungsmethoden für Leistungsbauelemente sowie Erstellung eines Simulationswerkzeugs für statische und dynamische Berechnungen der Stromverteilung in Halbleiterbauelementen hoher Leistung (Applicant Vogt, Holger )
• Erweiterte physikalische Modellbildung für Leistungshalbleiter und Schaltungsentwicklung (Applicant Schröder, Dierk )
• Experimentelle Demonstration eines bipolaren Hochspannungsschalters mit beidseitig gesteuerten Emitterstrukturen (Applicant Stoisiek, Michael )
• Fabrication of monolithic bidirectional switches (MBS) (Applicant Kurz, Heinrich )
• Hart- und weichschaltende Hochleistungspulswechselrichter mit Spannungszwischenkreis (Applicant De Doncker, Rik W. )
• Herstellung von schnellen Dioden mit Teilstrukturen für die Durchlaßeigenschaften und für die Spannungsbegrenzung beim Abkommutieren (Applicant Sittig, Roland )
• IGBT-Pulsumrichter mit Gleichstromzwischenkreis für hohe dynamische Anforderungen (Applicant Riefenstahl, Ulrich )
• Interface Entwicklung für Hochleistungshalbleiter auf Basis eines Aluminiumnitrid-Gradientenwerkstoffs (Applicant Peier, Dirk )
• Interface Entwicklung für Hochleistungshalbleiter auf Basis eines Aluminiumnitrid-Gradientenwerkstoffs (Applicant Willert-Porada, Monika )
• Limitation of the voltage gradient of medium voltage IGBTs using optimized gate signal profiles (Applicant Holtz, Joachim )
• Modellierung des Trägertransports in Inversionsschichten für MOS-Bauelemente hoher Leistung (Applicant Meinerzhagen, Bernd )
• Modellierung und Simulation der Diffusion von Aluminium in Silicium (Applicant Ryssel, Heiner )
• Modellierung und Simulation von MTO- und GTO- Thyristoren zum Einsatz im Hochspannungsbereich (Applicant De Doncker, Rik W. )
• Modellierung und Simulation von MTO- und GTO- Thyristoren zum Einsatz im Hochspannungsbereich (Applicant Steimel, Andreas )
• Multilevel current source inverter (Applicant Braun, Michael )
• Numerische Simulation zum statischen und dynamischen Verhalten des Monolithischen Bidirektionalen Schalters, MBS (Applicant Sittig, Roland )
• On-line calculation of the temperature of power semicondutor devices in power converter operation (Applicant Reimann, Tobias )
• Optimierung von Treiberstufen für weichschaltende Hochleistungsumrichter zur transformatorlosen Ankopplung an Mittelspannungsnetze (Applicant De Doncker, Rik W. )
• Physikalische Modellierung und numerische Simulation von Strom- und Wärmetransport bei hoher Trägerinjektion und hohen Temperaturen (Applicant Wachutka, Gerhard K.M. )
• Physikalische Modellierung und numerische Simulation von Strom- und Wärmetransport bei hoher Trägerinjektion und hohen Temperaturen (Applicant Gajewski, Herbert )
• Planarer Randabschluß für Halbleiter-Leistungsbauelemente durch Variation der lateralen Dotierung (Applicant Sittig, Roland )
• Randabschluß und Sperreigenschaften des MOS-gesteuerten, bidirektionalen Schalters, MBS (Applicant Sittig, Roland )
• Randabschluß und Sperreigenschaften des MOS-gesteuerten, bidirektionalen Schalters, MBS (Applicant Heuberger, Anton )
• Rekombinations- und Transportmechanismen in Bufferschichten sowie Beweglichkeiten in Ladungsträgerplasmen (Applicant Silber, Dieter Hans )
• Serial connection of IGCTs for high voltage converters (Applicant Kennel, Ralph )
• Silizium-Hochratenätzen zur Herstellung tiefer Trenches für Super-Junction-Strukturen in der Hochvolt-PowerMOS Anwendung (Applicant Heuberger, Anton )
• Simulation und Modellbildung für bidirektionale Insulated Gate Bipolar-Transistoren / Dioden mit synchroner Anodensteuerung (Applicant Silber, Dieter Hans )
• Stromrichter für höchste Spannungen (Applicant Holtz, Joachim )
• Stromzwischenkreisumrichtersystem mit Isolated Gate Bipolar Transistoren hoher Leistung (Applicant Braun, Michael )
• Studie zur Funktion und technologischen Realisierbarkeit von dielektrischen Ladungsfallen bei Leistungsbauelementen (Applicant Silber, Dieter Hans )
• Switching performance and stress of bidirectional IGBT-devices in matrix converters (Applicant Hofmann, Wilfried )
• Systematische Untersuchung der elektrischen Festigkeit von AlN-Substrat und zugehöriger Werkstoff-Interfaces für Hochleistungs-Halbleiter (Applicant Peier, Dirk )
• Teilentladungsuntersuchung zur hochspannungstauglichen Kontaktierung von Hochleistungsbauelementen (Applicant Peier, Dirk )
• Theoretische und experimentelle Untersuchungen zum Überspannungsschutz von Zweirichtungsventilen auf der Basis von Hochvolt-IGBTs (Applicant Reimann, Tobias )
• Umrichter für das Widerstandsschweißen (Applicant Mecke, Hubert )
• Umrichter hoher Leistung und hoher Frequenz für induktive Erwärmung (Applicant Mutschler, Peter )
• Untersuchung von Schwingungsphänomenen in Modulen mit parallel geschalteten IGBT-Chips (Applicant Netzel, Mario )
• Vergleichende Untersuchung resonant schaltender Mittelspannungs-IGBT-Umrichter bezüglich ihrer Eignung für Leistungen oberhalb 100kVA (Applicant Mutschler, Peter )

• Spokesperson: Professor Dr. Roland Sittig