MOCVD ist der vielversprechendste Weg zur Herstellung von hoch-e Gatedielektrika und metallischen Gateelektroden zukünftiger CMOS-Generationen. Für die Abscheidung von hoch-e Gatedielektrika und metallischen Gateelektroden existieren noch keine industrietauglichen Prozesse, dabei kommt der Entwicklung neuartiger und verbesserter Precursoren eine Schlüsselrolle zu. Darüber hinaus ist nicht jeder Precursor, der Schichten liefert, die den Anforderungen in einfachen Bauelementen genügen, auch geeignet für Produktionsanlagen in der Siliciumtechnologie oder dem Einsatz in dem kompliziertem Schichtsystem einer CMOS-Schaltung. Erst die Kombination von hoch-e Gatedielektrika und metallischen Gateelektroden erfüllt die Herausforderungen zukünftiger CMOS-Generationen. In diesem Projekt werden neuartige Precursormaterialien zur Abscheidung von hoch-e Gatedielektrika, wie ZrSixOy und HfSixOy, und metallischen Gateelektroden, wie die Nitride von Ti, Ta und Mo entwickelt, auf ihre Grundeigenschaften und Verwendbarkeit bei der Herstellung von Siliciumhalbleiterbauelementen getestet und verfahrenstechnisch optimiert. Dabei wird das Zusammenspiel von neuartiger Precursorenchemie und Gasphasenchemie auf Siliciumoberflächen erforscht und die gewonnenen Schichtsysteme anhand von MOS-Baulementen charakterisiert.
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