Unbesetzte elektronische Zustände von Halbleiteroberflächen

• Antragsteller: Professor Dr. Helmut Zacharias
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1999 bis 2009
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5198104

• Erstellungsjahr: 2008

Zusammenfassung der Projektergebnisse

Keine Zusammenfassung vorhanden

Projektbezogene Publikationen (Auswahl)

• k-aufgelöste Inverse Photoemission an 3C-SiC(001) Oberflächen. Frühjahrstagung der DPG, Regensburg, 27.3.2000
  C. Benesch, H. Merz, H. Zacharias
  
• Angle-resolved inverse photoemission ofthe (2xl)-reconstructed 3C-SiC(001) surface. Surf. Sci. 492, 225 (2001)
  C. Benesch, H. Merz, H. Zacharias
  
• k - resolved inverse photoemission of four different 6H-SiC(0001) surfaces. Phys Rev. B 64, 205314 (2001)
  C. Benesch, M. Fartmann, H. Merz
  
• k-aufgelöste inverse Photoemission an der c(2x2) rekonstruierten SiC(001) Oberfläche. Frühjahrstagung der DPG, Hamburg, 26.3.2001
  R. Ostendorf, M. Hagedorn, C. Benesch, H. Zacharias
  
• Oberflächenzustände der (2x1)- und der (3x2)-rekonstruierten 3C-SiC(001) Oberfläche. Frühjahrstagung der DPG, Hamburg, 27.3.2001
  C. Benesch, H. Merz, H. Zacharias
  
• Unbesetzte elektronische Zustände der c(2x2)-rekonstruierten 3C-SiC Oberfläche. Frühjahrstagung der DPG, Regensburg, 11.3.2002
  R. Ostendorf, M. Hagedorn, C. Benesch, H. Zacharias
  
• Unoccupied surface states ofthe (3x2) - reconstructed 3C - SiC(001) surface. Phys. Rev. B 65, 235 317 (2002)
  C. Benesch, H. Merz, H. Zacharias
  
• Unoccupied surface states ofthe c(2x2) - reconstructed 3C - SiC(001) surface. Phys. Rev. B 66, 245401 (2002)
  R. Ostendorf, C. Benesch, M. Hagedorn, H. Merz, H. Zacharias
  
• Experimental determination of the Mott-Hubbard parameter U ofthe (V3 x V3)R30° reconstructed 4H-SiC(0001) surface. Frühjahrstagung der DPG, Dresden, 18.3.2003
  R. Ostendorf, C. Benesch, H. Zacharias
  
• The unoccupied Mott-Hubbard state on the (?3 x ?3 ) R30° reconstructed 4H-SiC(0001) surface. Phys. Rev. B 70, 205325 (2004)
  R. Ostendorf, K. Wulff, C. Benesch, H. Merz, H. Zacharias
  
• VUV photon detector with improved resolution for inverse photoemission. Frühjahrstagung der DPG, Regensburg, 10.3.2004
  R. Stiepel, R. Ostendorf, C. Benesch, H. Merz, H. Zacharias
  
• Electronic structure of oxidized SiC(0001) surfaces investigated by inverse photoemission spectroscopy. ECOSS - 23, Berlin, 5.9.2005
  R. Ostendorf, K. Wulff, C. Benesch, H. Zacharias
  
• Unoccupied electronic states on oxidized SiC(0001)-surfaces determined by inverse photoemission. 69. Jahrestagung der DPG, Berlin, 5.3.2005
  K. Wulff, R. Ostendorf, C. Benesch, H. Zacharias
  
• VUV photon detector with improved resolution for inverse photoemission spectroscopy. Rev. Sci. Instrum. 76, 063109 (2005)
  R. Stiepel, R. Ostendorf, C. Benesch, H. Zacharias
  
• Electronic structure of oxidized SiC(0001) studied by inverse photoemission spectroscopy. Surf. Sci. 600, 3839 (2006)
  R. Ostendorf, K. Wulff, C. Benesch, H. Zacharias
  
• Preparation and Characterization of Silicon Carbide Surfaces for Scanning Probe Microscopy Studies. 71. Jahrestagung der DPG, Regensburg, 26.3.2007
  K. Ruschmeier, D. Weiner, A. Schirmeisen, H. Fuchs, N. Aghdassi, R. Ostendorf, and H. Zacharias
  
• Investigation of a long-ranged ordered silicate adlayer on the 6H-SiC(0001) surface by LEED, AES and IPE. Frühjahrstagung der DPG, Beriin, 25.2.2008
  N. Aghdassi, R. Ostendorf, and H. Zacharias