SPP 2312:  Energieeffiziente Leistungselektronik "GaNius"

• Fachliche Zuordnung: Informatik, System- und Elektrotechnik
• Förderung: Förderung seit 2021
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 441885089

Keine Zusammenfassung vorhanden

• DFG-Verfahren: Schwerpunktprogramme
• Internationaler Bezug: Italien

Projekte

• Aluminium Nitrid für die vertikale Leistungselektronik (Antragsteller Waag, Andreas ;  Witzigmann, Bernd )
• Charakterisierung und Anwendung von GaN-HEMTs bei kryogenen Temperaturen (Antragsteller Hiller, Marc )
• Elektronischer Transport polarisationsinduzierter, zweidimensionaler Elektronengase mit extrem hoher Flächendichte für ScAlN/GaN-basierte Leistungstransistoren (ScNius) (Antragsteller Ambacher, Oliver ;  Heitmann, Johannes )
• GaN-HEMT Treiber mit varianter Steuerung und Rückkopplungs-Techniken (GaNdalf) (Antragsteller Grabmaier, Anton ;  Pfost, Martin )
• Gleichtaktarme dreiphasige PFC-Gleichrichterfamilie ermöglicht im lückfreien Hochsetzbetrieb mit nur zwei HF-Schaltern und Speicherdrosseln vereinfachte Leistungsarchitekturen durch Einsatz von GaN (Antragsteller Schafmeister, Frank )
• Hocheffiziente, isolierte Multi-MHz GaN-basierte DC/DC-Wandler mit aktivem Diodengleichrichter (Antragsteller Kallfass, Ingmar ;  März, Martin )
• Hochfrequent schaltende Leistungskonverter basierend auf AlN-Leistungstransistoren (Antragstellerinnen / Antragsteller Dieckerhoff, Sibylle ;  Hilt, Oliver ;  Wentzel, Andreas )
• Konforme intelligente GaN Systems-in-Package auf Basis von 3D-Keramik für die Leistungselektronik (3D-CeraGaN) (Antragsteller Kallfass, Ingmar ;  Zimmermann, André )
• Koordinationsfonds (Antragstellerin Dieckerhoff, Sibylle )
• Leistungsbewertung von weich- und hartgeschalteten Wechselrichtern auf der Grundlage monolithisch integrierter bidirektionaler GaN-Bauelemente (Antragsteller Liserre, Ph.D., Marco )
• Modellierung und Charakterisierung von GaN-HEMT-Bauelementen unter Berücksichtigung von Trapping-Effekten (Antragsteller Hiller, Marc ;  Sack, Martin )
• Modellierung und Charakterisierung von GaN-HEMTs unter Stressbedingungen leistungselektronischer Systeme (Antragstellerinnen / Antragsteller Dieckerhoff, Sibylle ;  Pfost, Martin )
• Netzteile im Chipmaßstab in GaN: Monolithische GaN-Analog- und Mixed-Signal-Schaltungen für hocheffiziente und hochintegrierte Power-Factor-Correction (PFC) Spannungswandler (Antragsteller Wicht, Bernhard )
• Nutzung von GaN-Bauelementen für Antriebsinverter und Antriebsinverter für GaN-Bauelemente (DriveForGaN) (Antragstellerinnen / Antragsteller Lindemann, Andreas ;  Mallwitz, Regine )
• Planare und Vertikale Homo- und Heteroübergänge für Innovative GaN-basierte Leistungsbauelemente (Antragsteller Christen, Jürgen ;  Vescan, Andrei )
• ReToGaN – Analyse der Zuverlässigkeit, Parameterstabilität und Schaltungstopologien für GaN-basierte Leistungselektronik (Antragsteller Basler, Thomas ;  Friebe, Jens )
• Soft-Switching von Stromzwischenkreisumrichtern mit Bidirektionalen GaN Halbleitern (Antragsteller Lobo Heldwein, Marcelo )
• Temperaturbestimmung bei GaN basierten Bauelementen auf Basis von Temperatursensitiven Elektrischen Parametern (TSEP) (Antragsteller Bakran, Mark-Matthias )
• Übergangsmetall-nitrid-AlGaN Schichten mittels Sputterepitaxie für elektronische Anwendungen (Antragsteller Dadgar, Armin ;  Feneberg, Martin )

• Sprecherin: Professorin Dr.-Ing. Sibylle Dieckerhoff