Räumliche Winkelverteilung von gesputterten und rückgestreuten Atomen bei der Ionenbestrahlung unter streifenden Winkeln

• Applicant: Professor Dr.-Ing. Heiner Ryssel
• Subject Area: Electronic Semiconductors, Components and Circuits, Integrated Systems, Sensor Technology, Theoretical Electrical Engineering
• Term: from 2005 to 2010
• Project identifier: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 22341594

Fokussierte Ionenstrahlen (Focused Ion Beams, FIB) werden in der Mikroelektronik zur lokalen Abtragung von Materialien durch das Ionensputtern verwendet. Durch eine sehr feine Fokussierung von Ionenstrahlen können Halbleiterstrukturen mit kritischen Abmessungen im Nanometerbereich angefertigt werden. Die örtliche Auflösung der Materialstrukturierung mit fokussierten Ionenstrahlen wird durch mehrere physikalische Effekte beschränkt. Einer dieser Effekte ist die Redeposition des gesputterten Materials in Kombination mit einer besonderen anisotropen Form der Winkelverteilungen der gesputterten Atome. Die existierenden Modelle der FIB-Strukturierung vernachlässigen die Anisotropie der Winkelverteilungen und sind deshalb nicht in der Lage, die örtliche Auflösung der FIB-Strukturierung im Nanometerbereich adäquat zu beschreiben. In diesem Projekt sollen die anisotrope Winkelverteilungen der gesputterten Atome, die beim streifenden Ioneneinfall auftreten, experimentell und theoretisch untersucht werden. Es soll ein physikalisches Modell für die FIB-Strukturierung aufgestellt und anhand experimenteller Daten verifiziert werden.

• DFG Programme: Research Grants