Räumliche Winkelverteilung von gesputterten und rückgestreuten Atomen bei der Ionenbestrahlung unter streifenden Winkeln

• Antragsteller: Professor Dr.-Ing. Heiner Ryssel
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2005 bis 2010
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 22341594

Fokussierte Ionenstrahlen (Focused Ion Beams, FIB) werden in der Mikroelektronik zur lokalen Abtragung von Materialien durch das Ionensputtern verwendet. Durch eine sehr feine Fokussierung von Ionenstrahlen können Halbleiterstrukturen mit kritischen Abmessungen im Nanometerbereich angefertigt werden. Die örtliche Auflösung der Materialstrukturierung mit fokussierten Ionenstrahlen wird durch mehrere physikalische Effekte beschränkt. Einer dieser Effekte ist die Redeposition des gesputterten Materials in Kombination mit einer besonderen anisotropen Form der Winkelverteilungen der gesputterten Atome. Die existierenden Modelle der FIB-Strukturierung vernachlässigen die Anisotropie der Winkelverteilungen und sind deshalb nicht in der Lage, die örtliche Auflösung der FIB-Strukturierung im Nanometerbereich adäquat zu beschreiben. In diesem Projekt sollen die anisotrope Winkelverteilungen der gesputterten Atome, die beim streifenden Ioneneinfall auftreten, experimentell und theoretisch untersucht werden. Es soll ein physikalisches Modell für die FIB-Strukturierung aufgestellt und anhand experimenteller Daten verifiziert werden.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen