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Projekt
GRK 1215: Materialien und Konzepte für fortschrittliche Metallisierungssysteme
Fachliche Zuordnung
Systemtechnik
Förderung
Förderung von 2006 bis 2015
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 883210
Die kontinuierliche Verkleinerung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterbauelementen und die damit einhergehende fortschreitende Annäherung an fundamentale physikalische Grenzen erfordern neue Materialien, hoch entwickelte Analysetechniken und anspruchsvolle Herstellungsprozesse, die für die industrielle Massenproduktion geeignet sind. Das Internationale Graduiertenkolleg stellt sich den großen Herausforderungen, die mit der Herstellung elektrischer Verbindungen zwischen einzelnen Transistoren und größeren funktionalen Einheiten auf einem Mikrochip verbunden sind, sodass komplexe Metallisierungssysteme realisiert werden können.
Aspekte von Silizidkontakten und neuen ultradünnen Dielektrika an der Grenzfläche zu aktiven Bauelementegebieten, den Transistoren, und die Aufbau- und Verbindungstechnik von hochintegrierten elektronischen Schaltkreisen werden im Forschungsprogramm des Graduiertenkollegs ebenso berücksichtigt.
Die Forschungsarbeit erfolgt auf den Gebieten der Entwicklung neuer Materialien, fortschrittlicher Prozesse und Technologien sowie Wechselwirkung von Prozessen und Materialien. Weitere Schwerpunkte des Programms sind Integrationsaspekte, die Charakterisierung von Materialien und Teststrukturen sowie die Simulation von Prozessen und des Metallisierungssystems. Die Aktivitäten beinhalten sowohl grundlegende als auch angewandte Forschung, beispielsweise Fragen zur Zuverlässigkeit und Skalierbarkeit des Metallisierungssystems und die Bewertung neuer Materialien hinsichtlich ihrer Eignung für Fertigungsprozesse der Halbleitertechnik.
Außerdem sollen Metallisierungskonzepte für neuartige Bauelemente untersucht werden, die beispielsweise auf Kohlenstoff-Nanoröhrchen oder molekularer Elektronik basieren.
Die Forschungsaktivitäten werden von einem Studienprogramm begleitet, in dem die Doktoranden in speziell auf das Themengebiet des Kollegs zugeschnittenen Vorlesungen, Seminaren und Laborpraktika ausgebildet werden. Ein weiterer wesentlicher Baustein des Graduiertenkollegs ist der Doktorandenaustausch mit den Partneruniversitäten Shanghai Jiao Tong University und Fudan University (Shanghai), der neben fachlichen Kontakten auch die interkulturelle Kompetenz der Nachwuchswissenschaftler stärken soll.
Aspekte von Silizidkontakten und neuen ultradünnen Dielektrika an der Grenzfläche zu aktiven Bauelementegebieten, den Transistoren, und die Aufbau- und Verbindungstechnik von hochintegrierten elektronischen Schaltkreisen werden im Forschungsprogramm des Graduiertenkollegs ebenso berücksichtigt.
Die Forschungsarbeit erfolgt auf den Gebieten der Entwicklung neuer Materialien, fortschrittlicher Prozesse und Technologien sowie Wechselwirkung von Prozessen und Materialien. Weitere Schwerpunkte des Programms sind Integrationsaspekte, die Charakterisierung von Materialien und Teststrukturen sowie die Simulation von Prozessen und des Metallisierungssystems. Die Aktivitäten beinhalten sowohl grundlegende als auch angewandte Forschung, beispielsweise Fragen zur Zuverlässigkeit und Skalierbarkeit des Metallisierungssystems und die Bewertung neuer Materialien hinsichtlich ihrer Eignung für Fertigungsprozesse der Halbleitertechnik.
Außerdem sollen Metallisierungskonzepte für neuartige Bauelemente untersucht werden, die beispielsweise auf Kohlenstoff-Nanoröhrchen oder molekularer Elektronik basieren.
Die Forschungsaktivitäten werden von einem Studienprogramm begleitet, in dem die Doktoranden in speziell auf das Themengebiet des Kollegs zugeschnittenen Vorlesungen, Seminaren und Laborpraktika ausgebildet werden. Ein weiterer wesentlicher Baustein des Graduiertenkollegs ist der Doktorandenaustausch mit den Partneruniversitäten Shanghai Jiao Tong University und Fudan University (Shanghai), der neben fachlichen Kontakten auch die interkulturelle Kompetenz der Nachwuchswissenschaftler stärken soll.
DFG-Verfahren
Internationale Graduiertenkollegs
Internationaler Bezug
China
Antragstellende Institution
Technische Universität Chemnitz
Beteiligte Institution
Fraunhofer-Institut für Elektronische Nanosysteme (ENAS)
IGK-Partnerinstitution
Fudan University; Shanghai Jiao Tong University
Sprecher
Professor Dr. Thomas Geßner (†)
beteiligte Wissenschaftler
Professor Dr. Manfred Albrecht; Professor Dr. Michael Hietschold; Professor Dr. Heinrich Lang; Professor Dr. Thomas Otto; Professor Dr.-Ing. Herbert Reichl; Professor Dr. Oliver G. Schmidt; Professor Dr.-Ing. Stefan E. Schulz; Professor Dr. Dietrich R. T. Zahn
Sprecher (IGK-Partner)
Professor Dr. Ran Liu
Kooperationspartnerinnen / Kooperationspartner
Professor Dr. Wen-bin Cai; Professor Dr. Di Chen; Professor Dr. Shi-jin Ding; Professor Dr. Jie Feng; Professor Ruan Gang; Professor Dr. Shouwu Guo; Professor Dr. Yongfeng Mei; Professorin Dr. Xin-ping Qu; Professor Dr. Guo-Ping Ru; Professor Dr. Xuejian Yan; Professor Dr. Zhi Yang; Professor Dr. Huang Yiping; Professor Dr. Yafei Zhang; Professor Dr. Wei Zhang; Professorin Dr. Jia Zhou; Professor Dr. Guodong Zhu
