1T1R – 2D-FET und VCM-Bauteil BEOL Integration (B02)

• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung seit 2025
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 528378584

Eines der Hauptmerkmale, die den Ansatz des Active-3D sehr lohnend machen, ist die Tatsache, dass Schalt- und Speicherbauelemente in unmittelbarer Nähe platziert werden können. Die Aufgabe dieses Projekts ist es, das Potenzial von 1T1R Elementen, die vollständig in die Metallisierung integriert werden können, zu bewerten. Diese werden durch die gemeinsame Integration eines 2D-FET und eines abrupt schaltenden valence change memory (VCM)-Bauelements realisiert werden. In diesem Sinne demonstriert B02 bereits die Kombination von zwei neuen Elementen als Ausgangspunkt für weitere Phasen des TRR. Darüber hinaus ermöglicht dieses Basiselement die energieeffiziente Matrix-Vektor-Multiplikation in Kreuzpunkt-Matrizen von 1T1R-Elementen unter Ausnutzung der Kirchhoffschen Gesetze.

• DFG-Verfahren: Transregios
• Teilprojekt zu: TRR 404: Zukunftsweisende Elektronik durch aktive Bauelemente in drei Dimensionen (Active-3D)
• Antragstellende Institution: Technische Universität Dresden
• Mitantragstellende Institution: Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen
• Teilprojektleiterinnen / Teilprojektleiter: Dr.-Ing. Susanne Hoffmann-Eifert; Dr. Zhenxing Wang