BEOL-kompatible rekonfigurierbare 3D-Logik (A05)

• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung seit 2025
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 528378584

Rekonfigurierbare Transistoren (engl. Reconfigurable field effect transistors (RFETs)), die ihre Polarität während der Laufzeit zwischen n-Typ und p-Typ ändern können, sind vielversprechend, um die Komplexität integrierter Schaltungen über die Möglichkeiten der traditionellen Skalierung hinaus zu erhöhen. Da RFETs auf Schottky-Barrieren basieren, wird erwartet, dass die geringere Kristallqualität der BEOL-kompatiblen Kanalmaterialien einen geringeren Einfluss auf die Eigenschaften hat als bei konventionellen FETs, was sie zu einem inhärent vorteilhaften Bauelement für die monolithische BEOL-Integration macht. In der Vergangenheit haben die beiden Gruppen in Dresden und Aachen bahnbrechende Arbeiten zu Schottky-Barrieren-FETs im Nanobereich und insbesondere zu RFETs geleistet. Auf dieser Grundlage wird die Aufgabe dieses Projekts darin bestehen, einen Schritt weiter zu gehen und die dritte Dimension zu erforschen, während derzeitige Bauelemente noch an die Integration in den Silizium Wafer gebunden sind. Ab Phase 2 wird das Co-Design mit unterschiedlichen Speicherelementen erforscht werden.

• DFG-Verfahren: Transregios
• Teilprojekt zu: TRR 404: Zukunftsweisende Elektronik durch aktive Bauelemente in drei Dimensionen (Active-3D)
• Antragstellende Institution: Technische Universität Dresden
• Mitantragstellende Institution: Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen
• Teilprojektleiter: Professor Dr. Joachim Knoch; Dr.-Ing. Jens Trommer