Kontrolle unter Spannung: Örtlich aktive Schwellenwertschalter auf Nb2O5-Basis (A02)

• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung seit 2025
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 528378584

Mit Hilfe von Schwellwertschaltern lässt sich eine Signalverstärkung in einem zweipoligen Bauelement realisieren. Eine mögliche Anwendung ist die Lösung NP-schwerer Probleme mit Hilfe gekoppelter Oszillatorschaltungen. Derartige Probleme sind mit der von-Neumann-Architektur nur sehr schwer zu lösen. Solche Oszillatorzellen werden in die Metallisierung von CMOS-Chips integriert, wobei die rekonfigurierbare Kopplung in Phase 1 durch konventionelle Transistorschaltungen realisiert werden soll. In Phase 2 werden die konventionellen Transistoren durch im TRR entwickelte BEOL-kompatiblen Transistoren, wie RFETs oder auf 2D-Materialien basierende Bauelemente, ersetzt und zusätzliche Anwendungen der Schwellenschalter, wie Neuronen und ähnliche Bauelemente, erforscht.

• DFG-Verfahren: Transregios
• Teilprojekt zu: TRR 404: Zukunftsweisende Elektronik durch aktive Bauelemente in drei Dimensionen (Active-3D)
• Antragstellende Institution: Technische Universität Dresden
• Mitantragstellende Institution: Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen
• Teilprojektleiter: Dr.-Ing. Stefan Slesazeck; Professor Dr. Ronald Tetzlaff