Anlage zum Reaktiven Ionenätzen

• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung in 2025
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 554719481

Nanotechnologie ist eine Triebfeder für wissenschaftlichen und technischen Fortschritt. Der Schritt von der Forschung in die Anwendung benötigt Miniaturisierung und Integration. Das Mikrostrukturlabor des 4. Physikalischen Instituts als Zentrallabor für die Mikro- und Nanostrukturierung (core facility) stellt weit über 20 Großgeräte zur Strukturierung und Charakterisierung zur Verfügung stellt ist daher von herausgehobener Bedeutung in diesem Zusammenhang. Die Herstellung von Mikro- und Nanostrukturen erfolgt in den allermeisten Fällen indirekt mittels Lackmasken die im Anschluss in das Material von Interesse übertragen werden. Eine Kerntechnologie ist dabei das reaktive Ionenätzen (engl. „reactive ion etching“, RIE). Hierbei wird mittels eines Plasmas durch die Lackmaske oder durch eine mittels Lackmaske erzeugte Hartmaske in das Material geätzt, das Plasma greift das Material an und trägt es ab. RIE kommt insbesondere bei hochreinen Materialien zum Einsatz die mittels flächiger Beschichtung oder Wachstum erzeugt wurden, so zum Beispiel via Kathodenzerstäubung, Aufschleudern oder epitaktischem Wachstum. RIE ist eine zentrale Enabling Technology für zahlreiche Anwendungen in der Nanophotonik, Quanten- und Halbleitertechnologie und daher ein unersetzliches Element im Werkzeugkasten der Nanostrukturierung, unerlässlich um die Wettbewerbsfähigkeit und die Spitzenposition universitärer Forschung und Entwicklung aufrecht zu erhalten. Wir beantragen als Ersatzbeschaffung eine Anlage zum Reaktiven Ionenätzen, da die bisherige Maschine (Baujahr 1993) defekt ist und nicht mehr repariert werden kann.

• DFG-Verfahren: Forschungsgroßgeräte
• Großgeräte: Anlage zum Reaktiven Ionenätzen
• Gerätegruppe: 0930 Spezialgeräte der Halbleiterprozeßtechnik
• Antragstellende Institution: Universität Stuttgart
• Leiter: Professor Dr. Harald Giessen