SFB 348:
Nanometer-Halbleiterbauelemente - Grundlagen - Konzepte - Realisierungen
Fachliche Zuordnung
Physik
Förderung
Förderung von 1991 bis 2003
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5478319
Ziel des Sonderforschungsbereichs 348 ist die Untersuchung von Prinzipien der Nanostrukturierung und die Entwicklung innovativer Verfahren sowie experimenteller und theoretischer Methoden für daraus resultierende neuartige Bauelemente. Dieses Ziel wurde im bisherigen 10-jährigen Förderzeitraum in vielen Teilprojekten z.B. in Form neuartiger Laserdioden (VCSEL für 1.55µm), leistungsfähiger Mikrowellenbauelemente, Nanometer-Wachstumstechniken (CEO) oder photonischer Speicher bereits erreicht. Durch das bewährte Zusammenspiel zwischen rein physikalischen Fragestellungen, die im Teilprojektbereich A (Grundlagen) behandelt werden, mit konkret angewandten Fragestellungen im Teilprojektbereich B (Neuartige Bauelemente), sollen auch in der letzten Förderperiode bis 2003 weitere Innovationen bei Nanometer-Halbleiterbauelementen realisiert werden.
DFG-Verfahren
Sonderforschungsbereiche
Internationaler Bezug
Österreich, USA
Abgeschlossene Projekte
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A1 - Optische Eigenschaften von ein- und nulldimensionalen Quantentoepfen
(Teilprojektleiter
Abstreiter, Gerhard
)
-
A2 - Elektrische Eigenschaften von durch Barrieren getrennten niedrigdimensionalen Systemen
(Teilprojektleiter
Gornik, Erich
)
-
A4 - Modellierung elektronischer Eigenschaften und spinselektiver Ladungsträgerdynamik von Nanometerbauelementen
(Teilprojektleiter
Majewski, Jacek
;
Vogl, Peter
;
Zandler, Günther
)
-
A5 - Ein- und Vielteilchen-Aspekte bei Halbleiter-Nanostrukturen
(Teilprojektleiter
Rössler, Ulrich
)
-
A7 - Korrelationen und Potentialverteilungen in Quanten-Dots und Punktkontakten
(Teilprojektleiter
Rössler, Ulrich
)
-
A8 - Nanostrukturierung von Halbleitern durch transiente thermische Gitter
(Teilprojektleiter
Nebel, Christoph E.
;
Stutzmann, Martin
)
-
A9 - Lokal angeregte Lumineszenz (spektral aufgelöst) und Nanostrukturierung mit dem Rastertunnelmikroskop
(Teilprojektleiter
Hartmann, Elmar
;
Koch, Frederick
)
-
A10 - Niedrigdimensionale Systeme durch Wachstum auf Spaltflächen
(Teilprojektleiter
Abstreiter, Gerhard
;
Wegscheider, Werner
)
-
A11 - Elektron-Lochtransport in niedrigdimensionalen Systemen
(Teilprojektleiter
Karrai, Khaled
;
Wixforth, Achim
;
Zrenner, Artur
)
-
A13 - Optische Eigenschaften von ein- und nulldimensionalen Quantentöpfen
(Teilprojektleiter
Karrai, Khaled
;
Warburton, Richard
;
Zrenner, Artur
)
-
A14 - Defekte und spinabhängige Prozesse in III-V Halbleitern und Bauelementen
(Teilprojektleiter
Brandt, Martin S.
;
Stutzmann, Martin
)
-
A15 - Quantentransport in lateralen Übergittern
(Teilprojektleiter
Kotthaus, Jörg Peter
;
Lorke, Axel
;
Rössler, Ulrich
;
Suhrke, Michael
)
-
A16 - Ladungsträgerrelaxation und elektrische Feldeffekte in Quantenpunkten
(Teilprojektleiter
Feldmann, Jochen
;
von Plessen, Gero
)
-
A17 - Lineare und nichtlineare optische Untersuchungen an einzelnen Quantenpunkten
(Teilprojektleiter
Leitenstorfer, Alfred
;
Zrenner, Artur
)
-
A18 - Optisch detektierter spinabhängiger Elekton-Loch Transport
(Teilprojektleiter
Zrenner, Artur
)
-
A19 - Spektroskopie an InGaAs-Quantenringen
(Teilprojektleiter
Karrai, Khaled
;
Lorke, Axel
)
-
A20 - Strukturänderungen beim Überwachsen von Quantenpunkten
(Teilprojektleiter
Metzger-Kleinberg, Till Hartmut
)
-
A21 - Hochfrequenzanregungen in Halbleiternanostrukturen
(Teilprojektleiter
Abstreiter, Gerhard
;
Blick, Robert H.
;
Kotthaus, Jörg Peter
;
Wegscheider, Werner
)
-
B1 - Optische Detektoren und Speicher mit lateraler Ortsauflösung im Nanometerbereich
(Teilprojektleiter
Abstreiter, Gerhard
;
Zrenner, Artur
)
-
B2 - Steuerbare GaA1As-MQW-Richtkopplerstrukturen
(Teilprojektleiter
Müller, Rudolf
)
-
B3 - Ballistische Punktkontakte als Mikrowellendetektoren und -mischer
(Teilprojektleiter
Kotthaus, Jörg Peter
)
-
B4 - Millimeter- und Submillimeter Strahlungsquellen durch periodisch modulierte Strukturen
(Teilprojektleiter
Gornik, Erich
)
-
B5 - Modellierung der Rauscheigenschaften von Nanometer-Bauelementen
(Teilprojektleiter
Olbrich, Gerhard
)
-
B6 - Laufzeitdioden für den Frequenzbereich von 60 GHz - 300 GHz
(Teilprojektleiter
Freyer, Jürgen
;
Harth, Wolfgang
)
-
B7 - Oberflächenemittierende Laserdioden mit Mehrfachepitaxie
(Teilprojektleiter
Tränkle, Günter
)
-
B8 - Ein-Elektronen-Bauelemente
(Teilprojektleiter
Abstreiter, Gerhard
;
Kotthaus, Jörg Peter
;
Wegscheider, Werner
;
Wharam, David
)
-
B10 - Transporttheorie und Schaltungskonzepte für Einzelelektron-Bauelemente
(Teilprojektleiter
Wachutka, Gerhard K.M.
;
Zwerger, Wilhelm
)
-
B11 - Oberflächenemittierende Laserdioden
(Teilprojektleiter
Abstreiter, Gerhard
)
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B12 - Transversale Laser-Modulator-Integration
(Teilprojektleiter
Amann, Markus-Christian
)
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B13 - Speicherung und bildgebende Verarbeitung photonischer Signale in lateralen Potentialgittern
(Teilprojektleiter
Kotthaus, Jörg Peter
;
Wixforth, Achim
)
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B14 - Halbleiterbauelemente zur Leistungserzeugung bis 300 GHz
(Teilprojektleiter
Claassen, Manfred
;
Freyer, Jürgen
)
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B15 - Langwellige oberflächenemittierende Laser
(Teilprojektleiter
Amann, Markus-Christian
;
Meyer, Ralf
)
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B16 - Resonante Tunneldioden aus A1GaN/GaN-Heterostrukturen
(Teilprojektleiter
Ambacher, Oliver
;
Stutzmann, Martin
)
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C1 - Gemeinsame Mittelverwaltung
(Teilprojektleiter
Amann, Markus-Christian
)
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YD - Theorie des Quantentransports in niedrigdimensionalen Halbleiterstrukturen
