Resonante Tunneldioden aus A1GaN/GaN-Heterostrukturen (B16)

• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2001 bis 2003
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5478319

Keine Zusammenfassung vorhanden

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche
• Teilprojekt zu: SFB 348: Nanometer-Halbleiterbauelemente - Grundlagen - Konzepte - Realisierungen
• Antragstellende Institution: Technische Universität München (TUM)
• Teilprojektleiter: Professor Dr. Oliver Ambacher; Professor Dr. Martin Stutzmann