The priority programme "Group III-Nitrides" is subdivided into four areas, which deal interactively with the questions of epitaxial growth, materials characterisation, realisation of devices and theoretical modelisation. With the traditional growth techniques MOVPE and MBE simple InGaN and AlGaN heterostructures as well as complex layer structures for device applications should be realized. Equal priority should be given to homoepitaxial growth on quasisubstrates such as free standing HVPE-films and/or templates obtained by lateral epitaxial overgrowth (ELOG). This should lead to a better understanding concerning the correlation between structural quality on one hand and optical and electronical properties on the other hand on the basis of sytematic investigations. Carrier dynamics have to be analized and modelized to resolve the gain and loss mechanisms. Microscopic models for the relevant materials defects should be developed and be supported by theoretical calculations. Electronic (HFET, HBT) and opto-electronic device (LED, laser) realisation has equal importance. Important aspects such as electrical contacts, performance, stability and sources of possible degradation should be investigated including the problematic area of structuring.
DFG Programme
Priority Programmes
Projects
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Adsorbate und Schottky-Kontakte auf Gruppe III-Nitriden
(Applicant
Mönch, Winfried
)
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AlGaN/GaN-basierende Gas-, Flüssigkeits- und Drucksensoren für hohe Temperaturen und chemisch aggressive Umgebungen
(Applicant
Stutzmann, Martin
)
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Atomistische Untersuchungen zu Stabilität und Eigenschaften von Defekten in Galliumnitrid sowie zur Optimierung von kubischen Gruppe III-Nitrid-Übergittern für optoelektronische Bauelemente
(Applicant
Frauenheim, Thomas
)
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Aufklärung der Einbau- und Kompensationsmechanismen von Störstellen in GaN-Halbleiterstrukturen mittels linearer und nichtlinearer optischer Spektroskopie
(Applicant
Hoffmann, Axel
)
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Bandstruktur und Störstellen in ternären Nitridverbindungen
(Applicant
Meyer, Bruno Karl
)
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Charakterisierung der Kanalstromdispersion in GaN-HFETs im Zeit-, Frequenz- und Temperaturbereich sowie Einfluß der Oberflächenpassivierung. Korrelation mit der Piezo-Dipolladung des verspannten Heterostruktursystems
(Applicant
Kohn, Erhard
)
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Charakterisierung von Heterostrukturen aus Gruppe-III-Nitriden mit resonanter Brillouin- und Rayleighstreuung
(Applicant
Stolz, Heinrich
)
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Dotierung von Galliumnitrid durch Ionenimplantation
(Applicant
Rauschenbach, Bernd
)
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Einfluß von Verspannung, Komposition und Schichtung auf die Eigenschaften von Nitriden: Ab initio Berechnungen
(Applicant
Bechstedt, Friedhelm
)
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Electron microscope analyses of AlGaN/GaN and InGaN/GaN heterostructures.
(Applicant
Strunk, Horst Paul
)
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Elektronenmikroskopische Charakterisierung von Bauelementstrukturen aus Nitrid-Heteroschichten
(Applicant
Kubalek, Erich
)
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Elektronische Transporteigenschaften polarisationsinduzierter, zweidimensionaler Elektronen- und Löchergase in AlInGaN/GaN-basierenden Heterostrukturen hergestellt durch Epitaxie auf freitragenden GaN- bzw. Saphir-Substraten
(Applicant
Stutzmann, Martin
)
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Epitaktisches Wachstum von LEDs und Laserdioden der Gruppe III-Nitride mittels MOVPE und MBE
(Applicant
Hommel, Detlef
)
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Epitaxie auf freitragenden GaN-Substraten
(Applicant
Stutzmann, Martin
)
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Epitaxie von AlN auf Si für akustische Oberflächenwellenbauelemente
(Applicant
Richter, Wolfgang
)
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Gate recessed GaN highpower FETs
(Applicant
Schweizer, Heinz
)
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Generalized infrared ellipsometrie determination of crystal structure and free-carrier properties from complex group III nitride heterostructure
(Applicant
Rheinländer, Bernd
)
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Herstellung und Untersuchung von elektrisch betriebenen AlGaN/GaN/GaInN-DFB-Laserstrukturen
(Applicant
Schweizer, Heinz
)
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Herstellung von GaN/SiC-Heterostrukturen mittels Niederdruck-CVD
(Applicant
Meyer, Bruno Karl
)
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Herstellung von Quasi-Substraten durch laterales epitaktisches Überwachsen (ELOG) mit Chlorhydrid-Gasphasenepitaxie
(Applicant
Meyer, Bruno Karl
)
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Koordinationsfonds im Schwerpunktprogramm
(Applicant
Stutzmann, Martin
)
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Maßgeschneiderte metallorganische Precursoren zur Abscheidung und p-Dotierung (Mg) von GaN
(Applicant
Fischer, Roland A.
)
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MBE-Wachstum von GaN auf einem stark fehlangepaßten Substrat
(Applicant
Hommel, Detlef
)
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Metallorganische Gasphasenepitaxie von Gruppe III-Nitriden mit neuartigen Quellen
(Applicant
Pohl, Udo W.
)
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Mikroskopische Charakterisierung komplexer Gruppe III-Nitridstrukturen mit Kathodolumineszenz und Ramanspektroskopie: Korrelation von strukturellen, elektronischen und optischen Eigenschaften
(Applicant
Thomsen, Christian
)
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Mikroskopische Charakterisierung komplexer Gruppe III-Nitridstrukturen mit Kathodolumineszenz und Ramanspektroskopie: Korrelation von strukturellen, elektronischen und optischen Eigenschaften
(Applicant
Christen, Jürgen
)
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Mikroskopische Charakterisierung von Defekten und Dotieratomen in Galluimnitrid mit Hilfe der Rastertunnelmikroskopie
(Applicant
Urban, Knut W.
)
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MOCVD von (InGaAl)N/GaN Schichtstrukturen auf strukturiertem Silizium-Substrat
(Applicant
Bimberg, Dieter
)
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Modellierung, Simulation und Optimierung der Herstellung von GaN-basierenden heterostruktur Feldeffekttransistoren insbesondere mit InGaN Kanal
(Applicant
Kohn, Erhard
)
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Modellierung von Lumineszenzdioden und Injektionslasern aus Gruppe II-Nitriden
(Applicant
Brandt, Oliver
)
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Modellierung von Lumineszenzdioden und Injektionslasern aus Gruppe III-Nitriden
(Applicant
Wünsche, Hans-Jürgen
)
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Molekularstrahlepitaxie von III-Nitriden: Herstellung und Charakterisierung von GaN-GaAlN-InGaN Quantum Well Strukturen
(Applicant
Lischka, Klaus
)
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Molekularstrahlepitaxie von III-V Nitriden: P-Dotierung kubischer AlyGa1-yN Epitaxieschichten und AlyGa1-yN/GaN Übergitter zur Herstellung optoelektronischer Bauelementstrukturen
(Applicant
As, Donat Josef
)
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Nichtlineare Spektroskopie an Gruppe III-Nitriden
(Applicant
Fröhlich, Dietmar
)
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Optical gain, gain saturation, and waveguiding in nitrite semi-conductors
(Applicant
Michler, Peter
)
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Quantitative Analyse von Elementverteilungen in Gruppe-III-Nitridschichten und ihren Heterostrukturen mittels Elastic Recoil Detection
(Applicant
Dollinger, Günther
)
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Quantitative transmissionselektronenmikroskopische Analyse von Zusammensetzungsfluktuationen in InGaN: Ursachen und Korrelation mit Photolumineszenz
(Applicant
Gerthsen, Dagmar
)
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Rekombinationsprozesse und lokale elektronische Eigenschaften in (Al,Ga,In)N-Heterostrukturen
(Applicant
Hangleiter, Andreas
)
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Schichtstrukturen für GaN basierende Feldeffekttransistoren: Materialherstellung und Charakterisierung
(Applicant
Ebeling, Karl Joachim
)
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Spontane Polarisation in (Al,Ga,In)N-Heterostrukturen
(Applicant
Hangleiter, Andreas
)
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Spontane Rekombination und optische Verstärkung in (Al, Ga, In)N-Heterostrukturen
(Applicant
Hangleiter, Andreas
)
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Streuprozesse und Ladungsträgertransport in sub-mikron III-Nitrid-Heterostrutur-Feldeffekttransistoren
(Applicant
Vogl, Peter
)
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Störstellen und Grenzflächendefekte in auf GaN-basierenden Bauelementestrukturen, untersucht mit elektrischen und photoelektrischen Spektroskopieverfahren
(Applicant
Witte, Hartmut
)
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Surfactant-induziertes Wachstum von GaN-Oberflächen
(Applicant
Neugebauer, Jörg
)
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Synthese, Reinigung und Charakterisierung neuer MOVPE-Quellen zur Abscheidung von Gruppe IIIa-Nitriden
(Applicant
Schumann, Herbert
)
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Theoretische Studien Elektronischer und Struktureller Eigenschaften von Gruppe III-Nitriden sowie ihrer Oberflächen und Grenzflächen
(Applicant
Pollmann, Johannes
)
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Untersuchung der strahlenden und nichtstrahlenden Prozesse in Gruppe III-Nitriden als Mittel zur Aufklärung der Gewinn- und Verlustmechanismen
(Applicant
Hoffmann, Axel
)
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Untersuchung des Wachstumsmechanismus bei der Galliumnitrid-Abscheidung durch Charakterisierung der Gasphase im thermischen MOCVD-Prozeß
(Applicant
Kohse-Höinghaus, Katharina
)
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Untersuchung von Verspannung und Piezoelektrizität in GaInN-GaN-Hetero- und Quantenfilmstrukturen
(Applicant
Scholz, Ferdinand
)
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Untersuchung von Verspannungsphänomenen in GaN-Schichten unter Einsatz hochauflösender Röntgendiffraktometrie bei variabler Meßtemperatur
(Applicant
Heinke, Heidrun
)
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Untersuchungen zum Zerfall metallorganischer Einkomponenten-Vorläufermoleküle mittels Matrix-Tieftemperatur-Isolation
(Applicant
Müller, Jens
)
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Verspannte AlGaN/InGaN Doppelheterostrukturen auf 6H-SiC: Struktur, elektrische Eigenschaften und HEMT Anwendungen
(Applicant
Gerthsen, Dagmar
)
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Verspannte AlGaN/InGaN Doppelheterostrukturen auf 6H-SiC: Struktur, elektrische Eigenschaften und HEMT Anwendungen
(Applicant
Rizzi, Angela
)
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Wachstum von Gruppe III-Nitrid Bauelementen auf Silizium Substraten
(Applicant
Krost, Alois
)
