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Untersuchungen zum Zerfall metallorganischer Einkomponenten-Vorläufermoleküle mittels Matrix-Tieftemperatur-Isolation

Fachliche Zuordnung Physik der kondensierten Materie
Förderung Förderung von 1997 bis 2000
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5373018
 
Ziel des vorliegenden Forschungsvorhabens ist die Isolierung und Charakterisierung von molekular gebauten Verbindungen, die bei der Zersetzung eines "single-source precursors" zum Gruppe III-Nitrid auftreten können. Intramolekular basenstabilisierte Azido-Verbindungen von Ga, Al und In können als EinkomponentenVorläufermoleküle zur Abscheidung von kristallinen Filmen des AlN, GaN und InN bei tiefen Temperaturen genutzt werden. Diese Azide und Modellverbindungen des Typs [Me2N(CH2)3]MX2 und [Me2N(CH2)3]2MX werden der Tieftemperatur-Matrix-Isolation unterworfen. Dabei stehen thermische Zersetzung und das Ausfrieren der entstandenen flüchtigen Produkte in Edelgasmatrizes im Vordergrund. Die Charakterisierung von Zersetzungsprodukten wird durch Kombination von IR-Spektroskopie mit ab-initio-Rechnungen erfolgen. Paralllel zu diesen Untersuchungen wird in einer Zusammenarbeit mit Prof. Dr. K. Kohse-Höinghaus und Dr. B. Atakan (Physikalische Chemie der Universität Bielefeld) ein baugleicher Thermolyseofen in ein Massenspektrometer integriert, so daß eine massenspektroskopische Analyse der Thermolyseprodukte möglich wird. Die Erkenntnisse aus diesem Forschungsvorhaben sollen zum Verständnis des MOCVD-Verfahrens von Gruppe III-Nitriden auf molekularer Ebene beitragen. Dies könnte wiederum zu Synthesen von optimierten Einkomponenten-Vorläufermolekülen und deren Anwendung führen.
DFG-Verfahren Schwerpunktprogramme
 
 

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