Rationales Design von neuen Materialien für die Mikroelektronik

• Antragsteller: Professor Dr. Johannes A. Lercher
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2004 bis 2007
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5467170

Aufgrund der bisherigen positiven Ergebnisse wollen wir in dem beantragten Forschungsvorhaben die Herstellung neuer Materialien für low-k und high-k Anwendungen sowie die Silberabscheidung weiter entwickeln. Auf dem Thema der low-k-Materialien soll die physikalische Chemie in und an Silsequioxan-Filmen untersucht werden. Als neue Ansätze verfolgen wir folgende Schwerpunkte: - Modulation der dielektrischen Eigenschaften - Verständnis der dynamischen Veränderungen bei der Herstellung von Composit-Filmen - Einfluß der chemischen Funktionalität bei der Degradation von Polymerfilmen - Nukleation und Oberflächenmodifikation von Nanopartikeln Insbesondere werden Composit-Materialien mit niedriger oder nach Bedarf einstellbarer Dielektrizitätskonstante gezielt synthetisiert und in Hinblick auf ihre physikalisch-chemischen Eigenschaften charakterisiert. Weiterhin werden Synthesewege zu neuen organometallischen Precursoren mit einstellbarem Aggregatszustand für die Herstellung von high-k-Materialien und die Silberabscheidung entwickelt. Die Zusammenarbeit mit den Verbundpartnern im Forschungsschwerpunkt soll es ermöglichen, physikalische Meßmethoden für die Charakterisierung von high- und low-k Materialien gemeinsam zu nutzen und weiter zu entwickeln sowie die Materialien und Precursoren unter den Prozessbedingungen der Elektrotechnik zu testen.

• DFG-Verfahren: Forschungsgruppen
• Teilprojekt zu: FOR 395: Ausgewählte Materialien und Bauelemente für die Siliziumhöchstintegration