Herstellung halbleitender Si-Verbindungen mittels strukturierender Hochdosis-Ionen-Implantation

• Antragsteller: Professor Dr.-Ing. Hans-Ulrich Schreiber
• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2003 bis 2006
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5413987

Keine Zusammenfassung vorhanden

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen