Photostrom-SXM-Untersuchungen von Halbleitergrenzflächen

• Antragstellerin: Professorin Dr. Renate Hiesgen
• Fachliche Zuordnung: Physikalische Chemie von Molekülen, Flüssigkeiten und Grenzflächen, Biophysikalische Chemie
• Förderung: Förderung von 1997 bis 2004
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5379817

Die von Frau Dr. Hiesgen entwickelte Technik der PhotostromMessung mit Rastersondenmikroskopen besitzt eine Ortsauflösung von unter einem Nanometer. Mit dieser neuen Technik ist es möglich, die aufgrund von Potentialvariationen auftretenden Änderungen des Photostroms zu vermessen. Potentialvariationen werden schon von einzelnen Oberflächenzuständen, aber auch z.B. von Metall-Clustern erzeugt. Es konnte bereits gezeigt werden, daß es möglich ist, mit diesen Messungen die Rolle entsprechender lateraler Felder entlang von Halbleiter-Grenzflächen für den Ladungstransfer zu untersuchen. Der Elektrolytkontakt besitzt hier auch Modellcharakter für die Festkörperphysik. Metallkontakte auf Halbleiteroberflächen können mit dem SXM, aber auch direkt im Elektrolyten untersucht werden, wenn sehr dünne Metallfilme oder kleine Metallcluster verwendet werden. Insbesondere kann am Elektrolyt/Halbleiter-Kontakt der Potentialverlauf zwischen der Tunnelspitze und der Probenoberfläche durch lokale abstandsabhängige Strom-/Spannungskurven analysiert und somit der Einfluß des Potentials der STM-Spitze auf das Substrat untersucht werden. Die theoretische Modellierung dieser Effekte soll ergänzend weiterentwickelt werden.

• DFG-Verfahren: Schwerpunktprogramme
• Teilprojekt zu: SPP 1030: Grundlagen der elektrochemischen Nanotechnologie
• Internationaler Bezug: Österreich
• Beteiligte Person: Professor Dr. Dieter Meissner