Tunnel- und Nanostrukturen auf der Basis von breitlückigen II-VI Halbleitern (A 3)

• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1995 bis 2000
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5480149

Keine Zusammenfassung vorhanden

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche
• Teilprojekt zu: SFB 410: II-VI-Halbleiter: Wachstumsmechanismen, niederdimensionale Strukturen und Grenzflächen
• Antragstellende Institution: Julius-Maximilians-Universität Würzburg
• Teilprojektleiter: Professor Dr. Andreas Waag