Geordnete und nanostrukturierte Fullerenschichten in Organischen Feldeffekt-Transistoren

• Antragsteller: Professor Dr. Lothar Dunsch (†)
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2001 bis 2006
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5304466

Ziel dieses Projektes ist es, die wissenschaftlichen Grundlagen für die Funktion, Herstellung und Charakterisierung von organischen Feldeffekt-Transistoren mit einer strukturierten Fullerenschicht als Kanalmaterial zu schaffen. Die OFET könnten als Schlüsselbauelemente zukünftiger Chipkarten und Displays dienen. Dazu sollen die Technologie zur Erzeugung geordneter und nanostrukturierter Fullerenschichten entwickelt und deren Transporteigenschaften untersucht werden. Die elektrischen Eigenschaften dieser Schichten sollen durch elektrochemische Dotierung gezielt beeinflußt werden. Weiterhin sollen als Ausblick die Untersuchungen auf Zwei-Schicht-Systeme bestehend aus einer hochorientierten C60-Schicht und einer geeigneten Oligomer-Schicht (z.B. Hexathiophen, Benzidin-Derivate) erweitert und ihre Anwendbarkeit in elektronischen Bauelmenten grundsätzlich geklärt werden.

• DFG-Verfahren: Schwerpunktprogramme
• Teilprojekt zu: SPP 1121: Organische Feldeffekt-Transistoren: strukturelle und dynamische Eigenschaften