Ionen-/Atomstrahl-gestützte Synthese von epitaktischen Galliumnitrid-Schichten

• Antragsteller: Professor Dr. Bernd Rauschenbach
• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1996 bis 2002
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5295290

Ziel des Forschungsvorhabens ist es, epitaktische Galliumnitrid-Schichten hoher struktureller Qualität auf unterschiedlichen Substraten mittels des Verfahrens der Ionenstrahl-unterstützten Deposition unter Anwendung niederenergetischer Stickstoffionen auf unterschiedlichen Substraten herzustellen. Insbesondere soll einerseits, aufbauend auf den ersten Ergebnissen, das Herstellungsverfahren in Abhängigkeit von den Depositions- und Bestrahlungsparametern optimiert werden und andererseits die physikalischen Grundprozesse bei der ionengestützten Synthese der GaN-Schichten untersucht werden. Insbesondere soll die Phasenselektion und Texturmanipulation bei der Ionenbestrahlung sowie die Ionenstrahl-unterstützte Epitaxie analysiert werden.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen