Elektronenstruktur in magnetischen Schichtsystemen und ihr Einfluß auf den Tunnelmagnetwiderstand

• Antragstellerin: Professorin Dr. Ingrid Mertig
• Fachliche Zuordnung: Theoretische Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2000 bis 2008
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5279078

Anliegen des Projektes ist die theoretische und experimentelle Untersuchung des Tunnelmagnetwiderstandes in ferromagnetischen Tunnelelementen. Der TMR tritt für ferromagnetische Elektroden, getrennt durch eine isolierende Barriere auf. Es zeigt sich jedoch, dass metallische Grenzschichten zwischen den ferromagnetischen Elektroden und der isolierenden Barriere und auch die strukturelle Qualität der Barriere einen drastischen Einfluss auf den TMR haben. Neue Technologien für die Herstellung der Tunnelkontakte haben dazu geführt, dass hohe TMR-Raten bei geringen Schaltfeldern beobachtet werden. Infolgedessen sind ferromagnetische Tunnelkontakte für potentielle Anwendungen in der Speichertechnologie von großem Interesse. Ziel dieses Projektes ist es, den Zusammenhang des TMR mit der Elektronenstruktur des Schichtsystems aufzuklären. Schwerpunktmäßig soll die Wirkung metallischer Grenzschichten auf die Elektronenstruktur und den TMR mit theoretischen und spektroskopischen Methoden untersucht werden. Ein weiteres experimentelles Augenmerk gilt den strukturellen und morphologischen Eigenschaften der Barriere.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen