Wellenleitergestützte MIR-Antimonid-Photodetektoren mit TYP II-Heteroübergängen

• Antragsteller: Professor Dr. Henning Fouckhardt
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2000 bis 2004
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5262312

In der chemisch-analytischen Messtechnik wird vermehrt an miniaturisierte optische Sensoren und Detektormodule auf integrierten optoelektronischen Chips gedacht, die eine Lichtquelle, einen Fluidkanal oder ein Fluidreservoir sowie einen Photodetektor enthalten. Für diese Zwecke bieten sich wellenleitergestützte Interband-Übergangs-Photodetektoren für den mittleren infraroten Spektralbereich auf Basis des Materialsystems (Al)GaInAsSb mit Typ II-"broken gap"-InAs-Ga(In)Sb-Heteroübergängen konzipiert, mittels Molekularstrahlepitaxie und Photolithographie halbleitertechnologisch hergestellt, vermessen und optimiert werden.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen