Quantenchemische Untersuchungen zu Bildung, Stabilität sowie strukturellen und elektronischen Eigenschaften von GaBAs- und GalnBAs-Mischkristallen

• Antragsteller: Privatdozent Dr. Axel Schindler, seit 3/2005
• Fachliche Zuordnung: Messsysteme
• Förderung: Förderung von 2002 bis 2007
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5466172

Informationen zu strukturellen und elektronischen Eigenschaften aus quantenchemischen abinitio Berechnungen ermöglichen einen Zugang auf molekularer Ebene zur Aufklärung von Reaktionsmechanismen bei Abscheidungs- und Ätzprozessen an Halbleiteroberflächen. Im Rahmen des vorliegenden Projektes sollen in Kombination von molekularen Cluster-Modellen und periodischen SupercellModellen Berechnungen zu zwei Problemkreisen erfolgen: (A) Stickstoffeinbau in GaAs und Bildung nitridischer Mischkristalle und (B) Ätzen von InP-Oberflächen, wobei insbesondere Abhängigkeiten von Oberflächenrekonstruktionen und Gitterfehlorientierungen sowie von den eingesetzten Stickstoff-Precursor-Molekülen (A) bzw. den Ätzgasen (B) systematisch untersucht werden sollen. Die angestrebten Ergebnisse können langfristig wesentlich dazu beitragen, empirische Daten aus den Teilprojekten (TP1,2,4,5,7,8 der geplanten Forschergruppe theoretisch zu untermauern, prozeßrelevante (experimentellen Aufwand sparende) Voraussagen zu treffen und Prozeßsimulationen zu erleichtern.

• DFG-Verfahren: Forschungsgruppen
• Teilprojekt zu: FOR 365: Teilchenstrahlen-stimulierte Ultrapräzisions-Oberflächenbearbeitung
• Beteiligte Person: Privatdozentin Dr. Cornelia Engler
• Ehemaliger Antragsteller: Professor Dr. Thomas Chassé, bis 3/2005