Struktur und kinetische Eigenschaften von Korngrenzen im System Al-Ga

• Antragsteller: Professor Dr. Günter Gottstein
• Fachliche Zuordnung: Herstellung und Eigenschaften von Funktionsmaterialien
• Förderung: Förderung von 1999 bis 2002
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5213486

Im Rahmen des geplanten Forschungsvorhabens sollen die Struktur und kinetische Eigenschaften von Korngrenzen (KG) im System Al-Ga untersucht werden, und zwar - in Abhängigkeit von der Temperatur und Ga-Konzentration - die KG-Segregation, die KG-Diffusion und die KG-Beweglichkeit. Insbesondere soll das Phänomen der Vorbenetzung untersucht werden. Hierbei ist geplant, diesen Zustand quantitativ mit Hilfe der hochauflösenden Elektronenmikroskopie (HRTEM) sowie der analytischen Elektronenmikroskopie (Elektronen-Energieverlustspektroskopie (EELS) und energiedispersiven Röntgenanalyse (EDS) zu charakterisieren. Das Zustandsdiagramm des Systems Al-Ga soll im Bereich der Vorbenetzung unter Zuhilfenahme der Auger-Elektronenspektroskopie bestimmt werden. Die Korngrenzentracerdiffusion soll für normale und vorbenetzte Korngrenzen untersucht werden. Untersucht werden Al-Ga-Zweikristalle mit verschiedenen Kippachsen ( 111 , 100 ) und jeweils zwei verschiedene Kippwinkeln (in der Nähe bzw. entfernt zu einer Koinzidenzmißorientierung) im Konzentrationsbereich von 10-3 - 1 At.%Ga. Die Untersuchungen sollen mit Zwei- und Vielkristallen sowie nanokristallinen dünnen Schichten verschiedener Al-Ga-Legierungen durchgeführt werden.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Beteiligte Personen: Professor Dr. Wolfgang Gust; Professor Dr. Christian Herzig; Dr. Wilfried Sigle