Einsatz der Surfactant- Modifizierten-Epitaxie zur Herstellung neuartiger Ge/Si Heterostruktur-Bauelemente

• Antragsteller: Professor Dr. Michael Horn-von Hoegen
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 1999 bis 2003
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5213254

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• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen