Verteilung von Einzelleerstellen bei der Implantation von B in Cu und Al

• Antragsteller: Professor Dr. Hans-Jürgen Stöckmann
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1998 bis 2001
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5092324

Bei der Implantation von 12B in Cu mit Energien im 100 keV-Bereich findet man mit Hilfe der b-strahlungsdetektierten Kernspinresonanz, daß unterhalb 400 K alle B-Ionen auf dem oktaedrischen Zwischengitterplatz zur Ruhe kommen. Bei höheren Temperaturen führt etwa die Hälfte der B-Ionen einen Wechsel auf den substitutionellen Platz durch, verursacht durch Einfang in beim Implantationsprozeß erzeugte Leerstellen. Durch Messung des temperaturabhängigen Konzentrationsverhältnisses von interstitiellem zu substitutionellem B lassen sich quantitative Aussagen über den mittleren Radius der Wolke isolierter Leerstellen sowie den Anteil der die spontane Rekombination überlebenden Frenkelpaare gewinnen.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen