Anorganische, Grenzflächen-dominierte Heterostrukturen für Bauelementkonzepte (B13*)

• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung seit 2021
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 223848855

Dieses Projekt widmet sich dem Anwendungspotential von Halbleiterheterostrukturen mit W-Bandanordnung als aktives Medium in Halbleiterlasern. Es soll ein Demonstrator für langwelligen Laserbetrieb jenseits des Telekom-Fensters durch Kombinationen der metastabilen Verbindungs-halbleiter Ga(N,As) und Ga(As,Bi) realisiert werden. Die Heterostrukturen werden mittels metall-organischer Gasphasenepitaxie mit Hilfe von in-situ Diagnostik hergestellt. Die strukturelle und elektronische Struktur werden mit für den Laserbetrieb relevanten Eigenschaften korreliert. Ausgewählte Strukturen werden in Kantenemitter prozessiert um in-operando Experimente, z.B. zur Wärmeableitung, durchzuführen.

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche
• Teilprojekt zu: SFB 1083: Struktur und Dynamik innerer Grenzflächen
• Antragstellende Institution: Philipps-Universität Marburg
• Teilprojektleiterinnen / Teilprojektleiter: Professor Dr. Sangam Chatterjee; Professorin Dr. Kerstin Volz