SPP 2312: Energieeffiziente Leistungselektronik "GaNius"
Fachliche Zuordnung
Informatik, System- und Elektrotechnik
Förderung
Förderung seit 2021
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 441885089
Projektbeschreibung
Keine Zusammenfassung vorhanden
DFG-Verfahren
Schwerpunktprogramme
Internationaler Bezug
Italien
Projekte
Aluminium Nitrid für die vertikale Leistungselektronik
(Antragsteller
Waag, Andreas
;
Witzigmann, Bernd
)
Charakterisierung und Anwendung von GaN-HEMTs bei kryogenen Temperaturen
(Antragsteller
Hiller, Marc
)
Elektronischer Transport polarisationsinduzierter, zweidimensionaler Elektronengase mit extrem hoher Flächendichte für ScAlN/GaN-basierte Leistungstransistoren (ScNius)
(Antragsteller
Ambacher, Oliver
;
Heitmann, Johannes
)
GaN-HEMT Treiber mit varianter Steuerung und Rückkopplungs-Techniken (GaNdalf)
(Antragsteller
Grabmaier, Anton
;
Pfost, Martin
)
Gleichtaktarme dreiphasige PFC-Gleichrichterfamilie ermöglicht im lückfreien Hochsetzbetrieb mit nur zwei HF-Schaltern und Speicherdrosseln vereinfachte Leistungsarchitekturen durch Einsatz von GaN
(Antragsteller
Schafmeister, Frank
)
Hocheffiziente, isolierte Multi-MHz GaN-basierte DC/DC-Wandler mit aktivem Diodengleichrichter
(Antragsteller
Kallfass, Ingmar
;
März, Martin
)
Hochfrequent schaltende Leistungskonverter basierend auf AlN-Leistungstransistoren
(Antragstellerinnen / Antragsteller
Dieckerhoff, Sibylle
;
Hilt, Oliver
;
Wentzel, Andreas
)
Konforme intelligente GaN Systems-in-Package auf Basis von 3D-Keramik für die Leistungselektronik (3D-CeraGaN)
(Antragsteller
Kallfass, Ingmar
;
Zimmermann, André
)
Koordinationsfonds
(Antragstellerin
Dieckerhoff, Sibylle
)
Leistungsbewertung von weich- und hartgeschalteten Wechselrichtern auf der Grundlage monolithisch integrierter bidirektionaler GaN-Bauelemente
(Antragsteller
Liserre, Ph.D., Marco
)
Modellierung und Charakterisierung von GaN-HEMT-Bauelementen unter Berücksichtigung von Trapping-Effekten
(Antragsteller
Hiller, Marc
;
Sack, Martin
)
Modellierung und Charakterisierung von GaN-HEMTs unter Stressbedingungen leistungselektronischer Systeme
(Antragstellerinnen / Antragsteller
Dieckerhoff, Sibylle
;
Pfost, Martin
)
Netzteile im Chipmaßstab in GaN: Monolithische GaN-Analog- und Mixed-Signal-Schaltungen für hocheffiziente und hochintegrierte Power-Factor-Correction (PFC) Spannungswandler
(Antragsteller
Wicht, Bernhard
)
Nutzung von GaN-Bauelementen für Antriebsinverter und Antriebsinverter für GaN-Bauelemente (DriveForGaN)
(Antragstellerinnen / Antragsteller
Lindemann, Andreas
;
Mallwitz, Regine
)
Planare und Vertikale Homo- und Heteroübergänge für Innovative GaN-basierte Leistungsbauelemente
(Antragsteller
Christen, Jürgen
;
Vescan, Andrei
)
ReToGaN – Analyse der Zuverlässigkeit, Parameterstabilität und Schaltungstopologien für GaN-basierte Leistungselektronik
(Antragsteller
Basler, Thomas
;
Friebe, Jens
)
Soft-Switching von Stromzwischenkreisumrichtern mit Bidirektionalen GaN Halbleitern
(Antragsteller
Lobo Heldwein, Marcelo
)
Temperaturbestimmung bei GaN basierten Bauelementen auf Basis von Temperatursensitiven Elektrischen Parametern (TSEP)
(Antragsteller
Bakran, Mark-Matthias
)
Übergangsmetall-nitrid-AlGaN Schichten mittels Sputterepitaxie für elektronische Anwendungen
(Antragsteller
Dadgar, Armin
;
Feneberg, Martin
)
Sprecherin
Professorin Dr.-Ing. Sibylle Dieckerhoff
