Wafer-Bonder

• Fachliche Zuordnung: Elektrotechnik und Informationstechnik
• Förderung: Förderung in 2017
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 350181331

Der Wafer-Bonder erlaubt die hybride Integration modernster photonischer und elektronischer III/V-Halbleiterchips und kompletter III/V-Halbleiterwafer auf z.B. Silizium-basierten Wafern. Das Gerät bietet die Möglichkeit, sowohl einzelne III/V-Chips mit hoher Ortsauflösung (<1 μm) mittels Flip-Chip Bonding hybrid auf Silizium-basierten Wafern (z.B. TriPleX oder SOI) zu integrieren. Der Wafer-Bonder gestattet aber auch die hybride Integration kompletter III/V-Wafer auf Silizium-Wafern mittels eines Waferbonding-Prozesses. Mit Hilfe dieser materialplattformübergreifenden Integrationstechnologie schaffen wir die Möglichkeit, die optimalen Eigenschaften verschiedener Materialsysteme auf Chipebene zu vereinen. Beispielsweise werden mit dem Wafer-Bonder die im ZHO hergestellten höchstfrequenten photonischen III/V-Chips auf Silizium-photonischen Wafern integriert. So lassen sich die höchstfrequenten Eigenschaften aufgrund der hohen Ladungsträgerbeweglichkeiten in III/V-Schichtstrukturen mit den äußerst geringen optischen Ausbreitungsverlusten in Silizium-basierten Chips kombinieren.

• DFG-Verfahren: Forschungsgroßgeräte
• Großgeräte: Wafer-Bonder
• Gerätegruppe: 2160 Lötmaschinen, Lötbäder, Kontaktiergeräte
• Antragstellende Institution: Universität Duisburg-Essen
• Leiter: Professor Dr.-Ing. Andreas Stöhr