Kristallzüchtungsanlage

• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung in 2016
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 317174517

Die Beschaffung der apparativen Voraussetzungen für die Einkristallzüchtung intermetallischer Verbindungen mit hohem partiellen Gasdrücken, sehr hohen Schmelztemperaturen und komplexen metallurgischen Phasendiagrammen wird beantragt. Dies umfasst zum einen eine Anlage für optisch beheiztes Schwebezonenschmelzen bei Temperaturen bis weit über 1900°C unter hohen inerten Schutzgasdrücken bis einige 10 bar und eine Röntgen-Pulveranlage, die rasche, hoch-auflösende Messungen zur Bestimmung von Fremdphasen und strukturellen Übergängen ermöglicht. Ziel der damit geplanten wissenschaftlichen Vorhaben ist die Herstellung qualitativ hervorragender Einkristalle von Materialien mit starken elektronischen Korrelationen, Magnetismus und Supraleitung für die Grundlagenforschung. Beispiele für Materialsysteme von Interesse sind intermetallische Verbindungen wie Laves-Phasen oder Heusler Verbindungen in der Nähe peritektischer Punkte oder Übergangs- und Seltenerd-Diboride, -Hexaboride und Pentaboride. In diesen Systemen sollen die Grundlagen von Vielteilcheneffekten und Quantenphasenübergänge untersucht werden, sowie topologische Aspekte der Bandstruktur und magnetischen Struktur.

• DFG-Verfahren: Forschungsgroßgeräte
• Großgeräte: Kristallzüchtungsanlage
• Gerätegruppe: 1170 Kristallzüchtungsapparaturen, Kristallisationsanlagen
• Antragstellende Institution: Technische Universität München (TUM)
• Leiter: Professor Dr. Christian Pfleiderer