Verbesserung der Leistungsfähigkeit von gedruckten, elektronischen Bauelementen durch elektrostatische Aufladung

• Antragsteller: Professor Dr.-Ing. Arved C. Hübler
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2006 bis 2012
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 29467576

Ziel des Vorhabens ist die Herstellung von gedruckten, elektrostatisch geladenen, organischen Feldeffekttransistoren (OFETs). Das Projekt ist dem Gebiet der organischen Elektronik (Polymerelektronik) zuzuordnen. Diese Technologie hat das Potential, elektronische Bauelemente preisgünstig und produktiv herzustellen, da die organischen Materialien aus der Lösung heraus verarbeitet werden können. Im Vergleich zu anorganischen Feldeffekttransistoren haben OFETs jedoch eine Reihe von intrinsischen Nachteilen. Durch die elektrostatische Aufladung können diese Nachteile z. T. kompensiert und neue Funktionalitäten umgesetzt werden. So kann z. B. die Schwellspannung - ein wichtiges Charakteristikum von OFETs - beeinflusst werden. Eine weitere Möglichkeit ist die Nutzung dieser Information (veränderte Schwellspannung) zur Speicherung von Informationen. Die Arbeiten im Projekt zeichnen sich dadurch aus, dass die OFETs durch hochproduktive Druckverfahren hergestellt werden und zusätzlich die Möglichkeit der elektrostatischen Aufladung in den Prozess integriert wird. Das Vorhaben wird in enger Zusammenarbeit mit dem Forschungspartner H. Katz an der Johns Hopkins University (JHU), Baltimore, USA durchgeführt. Diese Kooperation ermöglicht eine übergreifende Entwicklung der benötigten Materialien und des Verarbeitungsprozesses. Ein korrespondierender Forschungsantrag wurde bereits bei der NSF gestellt.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Internationaler Bezug: USA
• Beteiligte Person: Professor Howard E. Katz