Bestimmung inhärenter Kinetiken chemischer Reaktionen in flüssiger Phase im Flachbettmikroreaktor

• Applicant: Professor Dr.-Ing. Hans-Joachim Warnecke
• Subject Area: Chemical and Thermal Process Engineering
• Term: from 2006 to 2012
• Project identifier: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 28934216

• Final Report Year: 2012

Final Report Abstract

Die im Antrag formulierten Ziele hinsichtlich der experimentellen und methodischen Entwicklung sind erreicht worden: 1) Anpassung der experimentellen Voraussetzungen hinsichtlich Stationarität (Reaktortechnik) u. jeweiliger Erfassbarkeit mittels konfokaler LIF und Raman-Spektroskopie für ein spezifisches Stoffsystem (Upgrade gamma-Raman-System). 2) Methode zur Bestimmung der Kinetik im FMR ist hinsichtlich Stationarität und Betriebsbedingungen optimiert. 3) Methodische Erweiterung der optische Analytik (SERS, Multiline-Analyse) hinsichtlich der Detektion hochverdünnter Spezies und zur genaueren Parameterbestimmung (differentielle Messtechnik). 4) Quantifizierung von hochverdünnten Spezies und die Erfassung von Konzentrationsfeldern im FMR ist etabliert. Hinsichtlich der Sulfitoxidation wurde ihre Eignung für die Untersuchung der Reaktionskinetik im FMR in Frage gestellt, so dass alternative Stoffsysteme untersucht wurden. Sie bedürfen aber noch der weiteren Analyse und Anwendung.

Publications

• Modellbasierte Bestimmung lokal gültiger Kinetiken chemischer Reaktionen in Flüssigphase mittels Flachbettmikroreaktor. Chemie Ingenieur Technik, Vol. 82. 2010, Issue 3, pp. 251–258.
  H.-J. Warnecke, D. Bothe, G. Berth, K.-P. Hüsch, A. Zrenner
  (See online at https://dx.doi.org/10.1002/cite.200900169)
• Oxygen sensing by fluorescence quenching of [Cu(btmgp)I]. Journal of Luminescence, Vol. 130. 2010, Issue 10, pp. 1958–1962.
  S. Herres-Pawlis, G. Berth, V. Wiedemeier, L. Schmidt, A. Zrenner and H.-J. Warnecke
  (See online at https://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2010.05.012)
• In-situ characterization of ZnTe epilayer irradiation via time-resolved and power density dependent Raman spectroscopy. Semiconductor Science and Technology, Vol. 26. 2011, Number 10, 105023.
  V. Wiedemeier, G. Berth, A. Zrenner, E.M. Larramendi, U. Woggon, K. Lischka and D. Schikora
  (See online at https://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/26/10/105023)