Wachstum von HgTe topologischen Isolatoren, Weyl- und Dirac-Halbmetallen (A04)

• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung seit 2015
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 258499086

Das Hauptziel dieses Projekts ist es, den Projektpartnern innerhalb des SFB 1170 qualitativ hochwertiges HgTe-Probenmaterial zur Verfügung zu stellen, das an die spezifischen Bedürfnisse jedes einzelnen Projekts angepasst ist, wobei das Portfolio von 2D- und 3D-topologischen Isolatoren über Weyl- und Dirac-Semimetalle bis hin zu Kane-Semimetallen reicht. Neuartige Wachstumsmodi von HgTe auf Substraten mit unterschiedlichen Oberflächenorientierungen werden untersucht und optimiert.

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche
• Teilprojekt zu: SFB 1170: Topologische und korrelierte Elektronik in Ober- und Grenzflächen ("ToCoTronics")
• Antragstellende Institution: Julius-Maximilians-Universität Würzburg
• Teilprojektleiter: Dr. Christoph Brüne, bis 6/2019; Professor Dr. Hartmut Buhmann, seit 7/2019; Professor Dr. Laurens W. Molenkamp