Waferspitzenmessplatz (Waferprober)

• Fachliche Zuordnung: Teilchen, Kerne und Felder
• Förderung: Förderung in 2014
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 262549524

Beantragt wird ein Waferspitzenmessplatz (Waferprober) für das Physikalische Institut der Universität Bonn. Das Institut betreibt Forschung auf dem Gebiet der Detektorphysik, speziell Pixeldetektoren und ASIC Chip-Entwicklung, im Siliziumdetektorlabor (SiLAB) der Arbeitsgruppe Prof. Wermes. Enge Zusammenarbeit mit der AG Prof. Desch im selben Institut (gasgefüllte Detektoren mit Pixelauslese) und weitere Zusammenarbeit mit anderen Gruppen der Physik/Astronomie existieren. Waferprober bilden das zentrale Messinstrument für die Entwicklung von integrierten Schaltkreisen (Chips) und Teilchendetektoren, bei denen dedizierte ASIC (Application Specific IC) - Entwicklung eine große Rolle spielt. Wafer (und auch vereinzelte Chips in speziellen Trägern) werden mit ihnen getestet, bevor sie weiter verarbeitet werden. Die Technologie-Entwicklungszyklen der Elektronikindustrie sind vergleichsweise kurz. So wurden in den letzten 10 Jahren die für die akademische Forschung verfügbare Strukturgrößen der CMOS Technologien von 250 nm auf 65 nm verkleinert und die Standardwafergröße von 20cm auf 30 cm vergrößert. Unsere existierenden Waferprober (1x manuell, 2x automatisch) sind mehr als 12 Jahre alt. Wartungsverträge können nicht mehr abgeschlossen werden und Ersatzteilgarantien sind abgelaufen; die maximale Wafergröße ist mit 20cm zu klein für die meisten Wafer in 65nm Technologie. Ein modernes Gerät ist für unsere Entwicklungen in 65 nm Technologie und für monolithische Pixeldetektoren unbedingt erforderlich.

• DFG-Verfahren: Forschungsgroßgeräte
• Großgeräte: Waferspitzenmessplatz (Waferprober)
• Gerätegruppe: 2780 Spezielle Meß- und Prüfgeräte für Halbleiter und Röhren (außer 620-659)
• Antragstellende Institution: Rheinische Friedrich-Wilhelms-Universität Bonn
• Leiter: Professor Dr. Norbert Wermes