Amorphe Spinelle als p-Typ Halbleiter

• Antragsteller: Professor Dr. Marius Grundmann
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2014 bis 2018
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 248402426

Es sollen ein neuer Zugang zur Herstellung von amorphen p-Typ Halbleitern untersucht werden, der auf Unordnungseffekten Effekten beruhen. Aus theoretischer Sicht sind für bestimmte kristalline oxidische Spinelle des Typs AB2O4 A-B Metall-Antisite-Defekte als vielversprechend zur Dotierung vorausgesagt. Gerade in amorpher Phase erwarten wir, dass Unordnungseffekte diesen Mechanismus gegenüber kristallinem Material verstärken können. Unsere ersten Ergebnisse zu p-Typ amorphem ZnCo2O4 und darauf basierender Dioden (mit n-Typ ZnO) lassen dies als machbar erscheinen. Die elektrischen Eigenschaften sollen für ausgewählte Spinelle als Funktion der Kristallinität, Stöchiometrie und Dotierung untersucht werden und so ermöglichen, eine neue Klasse von p-leitenden Oxiden zu begründen.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen