Molekularstrahlepitaxie-Anlage

• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung in 2013
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 243843316

„Mit dem vorliegenden Antrag soll eine Molekularstrahlepitaxie (MBE)-Anlage zur Herstellung von Halbleiterheterostrukturen im (In,Ga,Al)(As,Sb)-Materialsystem beschafft werden. Diese Anlage wird den nahen Infrarotbereich (inkl. optischem C-Band) materialmäßig an der Universität Paderborn erschließen und die Herstellung komplexer Strukturen mittels Epitaxie auf vorstrukturierten Substraten bzw. durch eine Maske erlauben. Die Anlage wird das Hauptgerät für die Forschungsaktivitäten auf Basis der Gruppe-III-Arsenide und – Antimonide in der Arbeitsgruppe für optoelektronische Materialien und Bauelemente darstellen und ihre Beschaffung ist zwingend erforderlich. Das Hauptaugenmerk liegt auf den Spezifikationen und der Ausstattung der MBE-Anlage, welche die Herstellung von Halbleiterheterostrukturen von höchster Qualität ermöglichen soll. Das System soll ein Aufdampfen unter streifendem Einfall erlauben und ggf. um weitere Prozesskammern erweiterbar sein. Die Anlage soll für das homogene Bewachsen von 2“-Substraten ausgelegt und für lange Standzeiten optimiert sein. Diesen Anforderungen wird ein Dreikammersystem mit vertikaler Wachstumsgeometrie am besten gerecht. Hierbei wird bei der Auswahl der Komponenten, wie Effusionszellen, Shutter und Manipulator, auf bewährtes, zuverlässiges Design Wert gelegt.“

• DFG-Verfahren: Forschungsgroßgeräte
• Großgeräte: Molekularstrahlepitaxie-Anlage
• Gerätegruppe: 0920 Atom- und Molekularstrahl-Apparaturen
• Antragstellende Institution: Universität Paderborn
• Leiter: Professor Dr. Dirk Reuter