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Dünnschicht-Röntgendiffraktometer mit 4-Kreis Goniometer und Reflektometrie-Option

Fachliche Zuordnung Physik der kondensierten Materie
Förderung Förderung in 2012
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 220506095
 
Erstellungsjahr 2016

Zusammenfassung der Projektergebnisse

Das Diffraktometer wurde zur strukturellen Charakterisierung einer Vielzahl unterschiedlicher epitaktischer dünner Schichten genutzt, welche im Rahmen verschiedener Projekte an der Universität Mainz präpariert wurden. Konkret basierte die Optimierung des epitaktischen Wachstums der folgenden Materialien auf einer Analyse der kristallinen Ordnung durch Röntgendiffraktion: Epitaktischer Schichten des unkonventionellen Supraleiters FeSe durch Co-Sputtern. Texturierte dünne Schichten des topologischen Isolators YPtBi. Epitaktischer halbmetallischer Heusler-Schichten (z. B. Co2MnSi) für die Spinelektronik. Epitaktische TiNiSn/HfNiSn Übergittern für Thermoelektrik-Anwendungen. Epitaktische Schichten der Heusler Verbindung Rh2MnGe. Epitaktische Ni-Co-Mn-Sn Schichten für Exchange Bias. Epitaktische Bi2S3 Schichten für Photovoltaik-Anwendungen. Epitaktische Ni2MnGa Schichten (Formgedächtnismetall). Epitaktische YIG Schichten für Spin-Kalorimetronik. Epitaktische LaAlO3/SrTiO3 Übergitter (Multiferroika). Epitaktische BiFeO3 Schichten (Ferroelektrikum). Epitaktische Mn2Au Schichten (Antiferromagnet für Spinelektronik). Weiterhin wurde das Diffraktometer zur Schichtdickenbestimmung sowohl der oben genannten, als auch vieler einfacher Schichten wie Fe, Co, Permalloy, etc. (für Spinelektronik-Anwendungen) genutzt.

Projektbezogene Publikationen (Auswahl)

 
 

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