Stochastische Modellierung und Monte-Carlo-Simulation von Röntgenbeugung an relaxierten epitaktischen Schichten

• Antragsteller: Dr. Vladimir Kaganer
• Fachliche Zuordnung: Theoretische Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2010 bis 2014
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 182722588

Während der ersten Phase des Projekts wurden die folgenden Fragestellungen gelöst (Die Manuskripte sind schon veröffentlicht oder zur Veröffentlichung vorbereitet):(i) Die Röntgenbeugung an nichtperiodischen Schichtstrukturen wurdetheoretisch beschrieben und genutzt, um Experimente mit gemischtenAurillius-Schichten beschrieben;(ii) Röntgenbeugung an relaxierten Schichtfolgen wurde theoretischbeschrieben und zur Untersuchung plastischer Relaxation in Ge-reichenvirtuellen SiGe-Substraten eingesetzt;(iii) Röntgenbeugung durch inhomogene Verspannungsfluktuationen wurde theoretisch beschrieben und zur Untersuchung der inhomogenen Verspannung von GaN Nanodrähten eingesetzt;(iv) Ein stochastisches Modell für die Zucht dicht stehenderkristalliner Nanodrähte wurde entwickelt und zur Beschreibung desHöhenausgleichs während der selbstinduzierten Kristallzucht von Nanodrähten eingesetzt.Die Projektfortsetzung wird beantragt um die folgenden Arbeitenabzuschließen, bei denen ein wesentlicher Fortschritt in der erstenPhase des Projekts erreicht wurde:(i) Theoretische Beschreibung der Röntgenbeugung an verkipptenVersetzungen in epitaktischen Schichten und die Anwendung in derexperimentellen Untersuchung von GaN Schichten auf (Al,Ga)N Pufferschichten;(ii) Theoretische Beschreibung der Röntgenbeugung an teilweisegeordneten Wabenstrukturen von Fehlpassungs-Versetzungen inMaterialsystemen mit hexagonaler Symmetrie und die Anwendung in derexperimentellen Untersuchung von InN/ZnO Schichten;(iii) Röntgenbeugungsanalyse der Entwicklung plastischer Relaxation imepitaktischen System Ge/Si(001);(iv) Theoretische Studie der Röntgenbeugung an Fehlpassungs-Versetzungen in Vielfachschichten auf Basis einer Monte-Carlo-Simulation von Röntgenbeugungsmustern;(v) Entwicklung eines stochastischen Modells für das Frühstadiumselbstinduzierter Kristallzucht von Nanodrähten und dessen Anwendung in der GaN-Nanodraht-Kristallzucht;(vi) Monte-Carlo-Untersuchung zur Röntgenbeugung an wandförmig angeordeten Versetzungen und Zellstrukturen von Versetzungen in Polykristallen.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen