Supraleitung in hochdotierten Gruppe IV Halbleitern

• Antragsteller: Dr. Viton Heera
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2010 bis 2014
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 177584490

Kürzlich konnte gezeigt werden, dass neben Diamant auch die technologisch relevanten Gruppe-IV-Halbleiter Si und Ge im extrem hochdotierten Zustand supraleitend werden. Den Antragstellern ist es erstmalig gelungen, supraleitfähige Ge-Schichten in einem zu Fertigungsverfahren der Mikroelektronik kompatiblen Dotierprozess, bestehend aus Ga-Ionenimplantation und Blitzlampenausheilung, herzustellen. Die Struktur und die elektronischen Eigenschaften der supraleitfähigen Ge:Ga-Schichten sollen in Abhängigkeit von Dotierung, Schichtdicke und Ausheilparametern systematisch untersucht werden. An Nanostrukturen soll der Einfluss von Größen- und Randeffekten auf die Transporteigenschaften studiert werden. Analoge Untersuchungen sind für weitere Halbleiter-Akzeptor-Kombinationen wie Ge:Al, Si:Ga, Si:B, Si:Al geplant. Die Untersuchungen sollen in einem weiten Temperatur- (10 mK < T < 300 K) und Magnetfeldbereich (10 μT < B < 70 T) durchgeführt werden.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Beteiligte Person: Dr. Thomas Herrmannsdörfer