DRIE-Plasmaanlage

• Fachliche Zuordnung: Elektrotechnik und Informationstechnik
• Förderung: Förderung in 2010
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 174835776

„Das beantragte Forschungsgroßgerät soll zur anisotropen Tiefenätzung von Siliziumwafern bis 200 mm Durchmesser genutzt werden. Es stellt eine Ersatzbeschaffung für das alte Gerät, Baujahr 1992, dar. Diese Anlage diente dem anisotropen Ätzen von kristallinem Silizium, um so Sensor- und Aktorkomponenten mit hohem Aspektverhältnis herstellen zu können. Durch die intensive Nutzung dieser Ausrüstung konnte u.a. wesentlich zum Erfolg des SFB 379 beigetragen werden. Das System ist inzwischen (nach 17 Jahren Nutzungsdauer) physisch und moralisch verschlissen, wodurch die Forschungsarbeiten auf diesem Forschungsgebiet gefährdet sind. Die Anschaffung der Anlage ist somit dringend erforderlich, insbesondere um die Kooperationsfähigkeit mit Forschungspartnern und allgemein die Wettbewerbsfähigkeit des Zentrums für Mikrotechnologien zu erhalten, um damit die Realisierung der anstehenden Forschungs- und Entwicklungsaufgaben in entsprechend hoher Qualität weiter zu ermöglichen. Neben einer Vielzahl autarker Industrie- und öffentlich geförderter Forschungsprojekte im MEMS/NEMS-Bereich und für die Systemintegration (Durchkontaktierung) wird die neue DRIE-Plasmaanlage vor allem auch bei dem bewilligten BMBF-Spitzencluster CoolSilicon, dem BMBF-Kompetenznetzwerk für Nanosystemintegration und dem durch den Senatsausschuss der DFG zur Antragstellung empfohlenen SFB 872 „Multifunktionale Integrierte Nanosysteme“ eine entscheidende Rolle spielen.“

• DFG-Verfahren: Forschungsgroßgeräte
• Gerätegruppe: 0930 Spezialgeräte der Halbleiterprozeßtechnik
• Antragstellende Institution: Technische Universität Chemnitz
• Leiter: Professor Dr. Thomas Geßner (†)