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Annihilation freier Volumina und Eigenspannungen in nanokristallinen metallischen Schichten

Fachliche Zuordnung Thermodynamik und Kinetik sowie Eigenschaften der Phasen und Gefüge von Werkstoffen
Mechanische Eigenschaften von metallischen Werkstoffen und ihre mikrostrukturellen Ursachen
Förderung Förderung von 2009 bis 2015
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 109158040
 
Erstellungsjahr 2016

Zusammenfassung der Projektergebnisse

Gegenstand des Projekts über seine Gesamtlaufzeit war das grundlegende Verständnis, die wechselseitige Korrelation und die Beschreibung folgender materialphysikalischer Prozesse in nanokristallinen Metallschichten während isothermer Glühungen in der Nähe der Raumtemperatur: (1) die Relaxation von Eigenspannungen, (2) die zeitlichen Änderung der Konzentration freier Volumina/Leerstellen, (3) die strukturellen Reorientierung von Körnern und (4) die Selbstdiffusion. Als Modellsystem wurden nanokristalline Pt-Schichten verwendet. Zur zeitaufgelösten experimentellen Charakterisierung der Modifikation der Leerstellenkonzentration und der Spannungsrelaxation wurde erstmals die von uns erdachte neuartige Methode der synchrotrongestützten Differenzdilatometrie erfolgreich realisiert. Diese Methode basiert auf der (quasi)simultanen In-situ-Messung von Gitterkonstanten mit Röntgendiffraktometrie (XRD) und der makroskopischen Längenänderung (Filmdicke) mit Röntgenreflektometrie (XRR) während isothermer Glühungen. Es wurde im idealen Fall eine Bestimmung der relativen Leerstellenkonzentration mit einer Genauigkeit von bis zu ∆c ≈ 5 x 10^-4 realisiert, wobei die dominierende Begrenzung aus der Messung der Schichtdicke herrührt. Tracer-Diffusionsuntersuchungen erfolgten mit Neutronenreflektometrie und Sekundärionenmassenspektrometzrie an 194Pt/natPt Isotopenmultilagen und Doppelschichten. In Ergänzung wurden TEM, XPS, EBSD Messungen ex-situ durchgeführt. Als wesentliches Ergebnis des Projekts konnte erstmals nachgewiesen werden, dass die Relaxation kompressiver Eigenspannungen in nanokristallinen dünnen Filmen nahe Raumtemperatur mit der Erzeugung von Leerstellen an der Oberfläche korreliert ist. Hierdurch wird der diffusive Transport von Atomen/Leerstellen entlang der Korngrenzen zur/von der Oberfläche ermöglicht, was zur Reduzierung der Eigenspannungen in einem thermisch aktivierten Prozess mit einer Aktivierungsenthalpie von 0.14 eV führt, bei dem die Leerstellen annihiliert werden. Als zusätzlicher Mechanismus kommt bei Temperaturen > 200 °C laterales Kornwachstum mit einer simultanen Reduzierung freier Volumina hinzu.

Projektbezogene Publikationen (Auswahl)

 
 

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