High-brightness diode lasers (C 05)

Das Ziel dieses Teilprojektes ist es, die physikalisch-technologischen Grundlagen für die Realisierung hochbrillanter und longitudinal monomodiger Diodenlaser, die sich durch eine für Halbleiterlaser extrem geringe Divergenz (< 7°) und neuartige Formen der Wellenlängenstabilisierung auszeichnen, beispielhaft im strategisch wichtigen Wellenlängenbereich 800 nm - 1100 nm zu schaffen. Hauptgegenstand ist dabei die Untersuchung von Wellenleiterstrukturen, die auf photonischen Kristallen beruhen und deren Einbindung in Kavitäten unter Nutzung von Mehrfachquantengräben und -quantenpunktstrukturen für die aktiven Schichten.

DFG Programme Collaborative Research Centres

Subproject of SFB 787:  Semiconductor Nanophotonics: Materials, Models, Devices

Applicant Institution Technische Universität Berlin

Co-Applicant Institution Ferdinand-Braun-Institut gGmbH
Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH)

Project Heads Professor Dr. Dieter Bimberg; Dr. Götz Erbert