FOR 476: SiC als Halbleitermaterial: Alternative Wege in Züchtung und Dotierung

Fachliche Zuordnung Physik
Informatik, System- und Elektrotechnik

Förderung Förderung von 2002 bis 2008

Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5469528

Projektbeschreibung

Keine Zusammenfassung vorhanden

DFG-Verfahren Forschungsgruppen

Projekte

Alternative processes in SiC-based MOS and bipolar technology (Antragsteller Pensl, Gerhard )
Characterisation of structural defects in SiC by x-ray diffraction (Antragsteller Magerl, Andreas )
Crystal growth of SiC using a modified physical vapor transport technique (M-PVT) (Antragsteller Wellmann, Peter )
Deep-UV Raman spectroscopy investigation of SiC layers for electronic devices (Antragsteller Hundhausen, Martin )
Defect and interfacial characterization of SiC wafers, structures and devices based on electron microscope techniques (Antragstellerin Christiansen, Silke )
Doping and aggregation of vacancies / Graphite inclusions and overlayers (Antragsteller Pankratov, Oleg )
Herstellung von polytypreinen defektarmen SiC-Volumenkristallen aus der flüssigen Phase (Antragsteller Hofmann, Dieter )
In-situ x-ray measurements of defect generation and crystalline quality during PVT growth, cool down and post-growth annealing of SiC (Antragsteller Hock, Rainer )
Untersuchung von p-dotierten Schichten zur Bauelementeisolation (Antragsteller Frey, Lothar )
Zentralprojekt: Siliziumkarbid (SiC) als Halbleitermaterial - alternative Wege in Züchtung und Dotierung (Antragsteller Ley, Lothar )

Sprecher Professor Dr. Lothar Ley