Untersuchungen von AIN und AIN-Al2O3-Strukturen als neue Materialien für elektronische Hochtemperatur-Hochleistungs-Bauelemente

• Antragsteller: Professor Dr. Ferdinand Scholz
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2005 bis 2009
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5452886

• Erstellungsjahr: 2008

Zusammenfassung der Projektergebnisse

Keine Zusammenfassung vorhanden

Projektbezogene Publikationen (Auswahl)

• Photoluminescence, cathodoluminescence, and reflectance study of AIN layers and AIN single crystals. Superlattices and Microstructures 40 (2006) 513-518
  G.M. Prinz, A. Ladenburger, M. Feneberg, M. Schirra, S. B. Thapa, M. Bickermann, B. M. Epelbaum, F. Scholz, K. Thonke, and R. Sauer
  
• Band gap measurements of direct and indirect semiconductors using monochromated electrons. Phys. Rev. B 75 (2007) 195214
  Lin Gu, V. Srot, W. Sigle, C. Koch, P. van Aken, F. Scholz, S. B. Thapa, C. Kirchner, M. Jetter, M. Rühle
  
• MOVPE growth of high quality AIN layers and effects of Si doping. EW-MOVPE XII, Bratislava, Slovakia, June 2007, pp. 65-68
  S. B. Thapa, J. Hertkorn, F. Scholz, G. M. Prinz, M. Feneberg, K. Thonke, R. Sauer
  
• MOVPE Growth of High Quality AIN Layers and Effects of Si Doping. ICNS 2007, Las Vegas, USA, Sept. 2007; phys. stat. sol. (2008)
  S. B. Thapa, F. Scholz, J. Hertkorn, G. M. Prinz, M. Feneberg, M. Schirra, K. Thonke, R. Sauer, J. Biskupek, U. Kaiser
  
• Structural and spectroscopic properties of AIN layers grown by MOVPE. J. Crystal Growth 298 (2007) 383-386
  S. B. Thapa, C. Kirchner, F. Scholz, G. M. Prinz, K. Thonke, R. Sauer, A. Chuvilin, J. Biskupek, U. Kaiser, D. Hofstetter